我用MOCVD 生长了InP/InGaAsP/InP BH结构,然后用LPE方法在上面生长一InGaAsP层作为顶层以合金之用。然后大面积Zn扩散,清洗后在上面镀一层SiO2 膜,再进行光刻,刻蚀一斜沟,偏离角度大约为5度,深度只是去掉SiO2 。最后做电极合金。结果解理后测管芯功率显示3uW ,无光。测试电流为20mA。 请问为什么? 谢谢。
上帝说: 要有光,于是便有了光.
_____创世纪
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