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标题: 高通启用45纳米半导体处理技术，采用浸入式光蚀刻法及超低k介电层特性 [打印本页]

作者: gb936 时间: 2007-8-17 07:15
标题: 高通启用45纳米半导体处理技术，采用浸入式光蚀刻法及超低k介电层特性
高通公司近日宣布首款利用45纳米处理技术的芯片已完成设计。45纳米技术代表了CMOS半导体制造领域的下一个里程碑，该技术能够使芯片实现更快的速度、更低的功耗以及更高的集成度，同时还能够在每个晶片上提供更多管芯，从而降低管芯成本。

新款芯片在台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）完成设计并投入制造。与战略性技术和代工合作伙伴的紧密合作，是高通公司所倡导的“集成的无生产线模式”（IFM）的关键所在。该模式能够为行业带来更高的效率和更快的技术进步。

该款高通公司芯片使用了一种为低功耗而优化的45纳米处理技术，利用了先进的浸入式光蚀刻法(immersion lithography)和超低k介电层特性(very low k inter-metal dielectrics features)。这种技术具有的竞争优势包括性价比的显著提高，以及更好的防漏电性和更高的集成度。公司已着手开发40纳米处理技术，将为半导体性能、成本和效率创造更大的益处。

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