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标题: AR膜求助+资料分享 [打印本页]

作者: niechunyang    时间: 2007-10-14 14:54
标题: AR膜求助+资料分享
我们做产品:基片N=1.46 单面反射要求:R《0.25% 我们用膜料 AL2O3  H4  MGF2 我们想用TA2O5代替H4,没有用离子源,氧气到了300SCCM还是基片有发黄,不知道是怎么回事,请教师傅门,谢谢了

Ta2O5材料.pdf

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作者: lebmy    时间: 2007-10-15 00:10
hao  dongdong
作者: john03062003    时间: 2007-10-15 10:36
镀后处理挺重要,否则Ta2O5的吸收就特别大,建议镀后退火
作者: jhxxmlhk    时间: 2007-10-15 10:51
靠!哪那么麻烦啊!有离子源什么都OK!还有不知道你用什么镀膜机,300sccm的充氧量吓死人啊!!!
作者: susan01    时间: 2007-10-15 12:47
标题: ??
为什么要用Ta2O5代替H4呢
作者: jhxxmlhk    时间: 2007-10-15 14:34
原帖由 susan01 于 2007-10-15 12:47 发表
为什么要用Ta2O5代替H4呢

Ta2O5比H4价格便宜啊!
作者: flytiger8    时间: 2007-12-14 21:36
楼上正解
作者: 木子李    时间: 2008-1-11 19:13
什么是退火,能否解释一下,谢谢!!!
作者: fasces9    时间: 2011-7-30 15:46
氧气充氧过高
作者: meilirensheng    时间: 2011-8-2 14:04
收藏~~!
作者: HGcoating    时间: 2011-8-2 14:30
波长都没有。。。。不知怎么跟你说
作者: jiayuch    时间: 2011-8-3 08:06
不知多大的机器啊? 要用300sccm这么多?
作者: zhoubin    时间: 2011-8-17 14:37
收藏。问题没能力解答
作者: wangjg8955    时间: 2011-8-17 23:07
谢谢资料!
作者: 冷月凝霜    时间: 2011-9-12 12:46
顶顶顶
作者: yibi11    时间: 2011-9-12 16:46
你MGF2还充氧?还充这么多?基片不变黑已经很对得起你了




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