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标题: 300mm Si-III/V模块化组合设备用于马尔堡大学的硅上激光器项目中 [打印本页]

作者: gb936 时间: 2007-12-30 04:39
标题: 300mm Si-III/V模块化组合设备用于马尔堡大学的硅上激光器项目中
德国领先的研究中心马尔堡大学向AIXTRON下单，订购一套CCS®300mm CRIUS®模块化系统，里面包括的两个MOVPE模块，都是基于硅和三五族混合型材料的。这是第一次在300mm配置中采用这套MOVPE系统，它特别适用于在商业化硅晶片上生长三五族化合物半导体。

新的MOVPE设备将安装在马尔堡大学材料科学中心的中心技术实验室内。该实验室负责人Wolfgang Stolz博士表示，在以前实验室内就安装了MOVPE设备，因此在AIXTRON设备方面有很好的经验；现在，他们非常期待这款特殊的新型设备，能用在另一项由BMBF资助的研究项目中。此次AIXTRON与马尔堡大学的合作意义重大，众所周知，许多产业和研究所的目标是开发出二极管激光器，而且是采用在硅上沉积新的Ga（NAsP）** 材料来开发的，使得制备出的单片集成电路整合了激光器和针对下一
代数据通信的硅基微电子。此外，此款新材料对高效的硅上三五族太阳能电池很重要。

AIXTRON市场总监Rainer Beccard教授补充说，CRIUS® MOVPE成为第一套提供300mm GaAs和其他三五族生产工艺的系统，我们为此感到兴奋；这套整合了硅上激光器工艺的设备将在未来发挥很大的作用，特别是在一些应用中更是值得期待，比方说采用基于硅上三五族材料的CMOS工艺。

**Ga(NAsP)：这是一种学名为“掺氮”化合物半导体合金系统，特别适合制造用于数据传输的850nm激光器。现在，研究者正努力在低价的晶片上实现器件的生长；另一个优势在于，它提供了一种新的单片集成方式，并结合了光电子和硅基微电子。采用该方法，能实现高带宽的芯片内部以及芯片之间（intra-chip and inter-chip）的光连接，这将完全向新的应用领域拓展。

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