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标题: 晶体生长方法深度分析——1 水热发ZnO/GaN/ [打印本页]

作者: 蓝可狄光 时间: 2008-1-4 13:08
标题: 晶体生长方法深度分析——1 水热发ZnO/GaN/
水热法作为熔点以下具有相变或挥发的晶体生长和研究的古老方法，在第三代半导晶体，钻石等晶体的生产研究方面一直发挥着重要作用。用该方法生长的石英晶体及其他红外晶体一直是军用装备、电子产业有着大量应用。该方法虽然很成熟，但我国在低腐蚀隧道（位错密度）和高Q值晶体的生长方面依然存在差距。尤其是在GaN，ZnO，AlN等重要晶体的生长方面才刚刚开始。在这里希望大家能够对该方法存在的局限和重要发展通过讨论得以初步的总结。

作者: dlzhlq 时间: 2011-3-16 20:13
这个问题今天仍然很前沿啊，您有什么体会倒是说一点

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