光电工程师社区

标题: 镀AR時，製程溫度約80度C可行嗎？ [打印本页]

作者: victorrose 时间: 2008-5-14 20:20
标题: 镀AR時，製程溫度約80度C可行嗎？
因特殊需求，需要在B270玻璃上镀AR時的製程溫度只能約80度C，這有可能嗎? 製程條件有何特殊要求？

[ 本帖最后由 victorrose 于 2008-5-14 20:25 编辑 ]

作者: gonneto 时间: 2008-5-14 23:06
标题: 学习楼住的这种精神~~~~TMD~~~太牛~~~~
问候一声，写文章累了

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作者: zzzz 时间: 2008-5-15 13:16
当然有了

作者: victorrose 时间: 2008-5-15 19:29
标题: 回复 #3 zzzz 的帖子
您的意思是可行的? 请问制程条件有何特殊要求？谢谢您。

作者: zzzz 时间: 2008-5-16 07:45
一般条件不加热不IAD就能做到.
你的条件如何??????????????

作者: optofilm2002 时间: 2008-5-16 08:35
那就溅射吧

作者: victorrose 时间: 2008-5-17 10:29
制程温度约80度C，使用IAD，结果用胶带一黏就掉。如果不用溅射，要如何达到？

作者: huhu 时间: 2008-5-17 14:44
如果制程正常仍然发生脱膜，建议可以先观察一下膜层脱落的位置，从应力及边界结合力方面考虑一下。

作者: 无语了 时间: 2008-5-18 08:27
如果制程正常仍然发生脱膜，建议可以先观察一下膜层脱落的位置，从应力及边界结合力方面考虑一下。

好象有点道理,先测下是哪层脱落的

作者: victorrose 时间: 2008-5-18 15:42
用3M测试胶带一黏，所有的镀膜都掉落了。可能是哪里出了问题?

作者: huang12949 时间: 2008-5-18 23:20
不太可能吧，就算在塑料上镀AR，也不是胶带可以粘下来的，最起友得反复N次才有可能撕下来的。
镀在玻璃上都能撕下来，估计你材料用得不对，可能最后一层用的MGF2类材料吧。

作者: zzzz 时间: 2008-5-19 08:34
你得先说明你的工艺条件，
否则大家只能瞎分析

作者: victorrose 时间: 2008-5-20 19:21
tio2+sio2+tio2+sio2+tio2+sio2

作者: zzzz 时间: 2008-5-21 10:27
为啥不用TA?
基板是什么材料的?
层数太多?不能减少吗?

作者: victorrose 时间: 2008-5-27 10:44
TA 适合用来做AR?
基材为玻璃
层数不能减
谢谢您

作者: liyazhou 时间: 2008-5-27 10:44
蒸镀什么材料有些材料可以冷镀呀...............................

作者: zzzz 时间: 2008-5-27 13:06
我的TA是指TA2O5了.
啥特殊要求啊?胶合件吧?
否则TI和玻璃的结合挺好的
先找找玻璃清洁方面的原因.

作者: optin 时间: 2008-5-27 13:51
离子源可能没有用好，能否将你们离子源的使用过程描述描述

作者: APS1104 时间: 2008-6-1 16:42
tio2+sio2+tio2+sio2+tio2+sio2 并使用IAD，我觉得不可能用3M测试胶带一黏就掉膜.镀膜工艺存在问题,你基片清洗得干净吗?
你离子源参数都设置了哪些?

作者: jhxxmlhk 时间: 2008-6-1 17:08
我晕死，你那种工艺没问题，3M测试不会脱膜的。看镀前清洁度怎么样？不会是DP返油了吧？
鄙视MgF2的人是错误的，慢慢你们就会知道了。

作者: warstorm 时间: 2008-6-11 09:24
所有膜都掉了？？是不是和基底的结合度不高啊，
能不能预镀一层sio2

作者: liwenjuanlwj 时间: 2008-6-11 10:04
脱膜应该不会吧，我想是TI的折射率做不高

作者: snebur 时间: 2008-6-11 22:34
标题: 提高附着力
需要不需要加个过渡层？

作者: guangang 时间: 2008-6-13 10:17
用的啥离子源？如果用RF源的话，膜层也不至于这么差吧？

作者: nation 时间: 2008-7-4 11:47
都不加热都可以镀的，没有不可能的，只有想不到的。

作者: 涛哥 时间: 2008-7-5 09:32
用ZR+SI试一试,70度不加IAD,镀的膜用水煮都不掉膜.也有可能是基片的问题.

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