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标题: 供应美国transene 公司铬（Cr），锡(In) 蚀刻液（微电子行业，光电行业，半导体行业） [打印本页]

作者: 牟牟 时间: 2008-7-13 15:54
标题: 供应美国transene 公司铬（Cr），锡(In) 蚀刻液（微电子行业，光电行业，半导体行业）
供应CHROMIUM ETCHANT 1020、CHROMIUM ETCHANT 1020AC、CHROMIUM MASK ETCHANT、CHROMIUM CERMET ETCHANT TFE等四种铬蚀刻液以及Indium Tin Oxide Etchant TE-100 锡蚀刻液。
其中CHROMIUM ETCHANT 1020（铬蚀刻液1020）纯度高、蚀刻速度快（40埃/秒），蚀刻精度高，蚀刻液与正负胶相容性好，使用后用去离子水清洗即可
CHROMIUM ETCHANT 1020AC（铬蚀刻液1020AC）不含硝酸、蚀刻速度慢从而消除蚀刻过程中的钻蚀（截槽），蚀刻液与正负胶相容性好，使用后用去离子水清洗即可
CHROMIUM MASK ETCHANT（铬掩膜蚀刻液）高精度的光掩护蚀刻液，无毒害，可视化的蚀刻控制，能精确到亚微米尺度，蚀刻液与正负胶相容性好。
CHROMIUM CERMET ETCHANT TFE（铬金属陶瓷蚀刻液）专门用于蚀刻沉积在铜、镍或金属上的含铬金属陶瓷，本蚀刻液只与负胶有良好的相容性。

Indium Tin Oxide Etchant TE-100 锡蚀刻液能有效蚀刻涂覆在陶瓷、绝缘体、半导体、以及多种金属上的氧化锡以及氧化锡铟涂层，本蚀刻液与正负胶有很好的相容性。

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ITO蚀刻剂（/养化锡/铟养化锡蚀刻剂 TE-100）

氧化锡/铟氧化锡蚀刻剂TE-100 是应用于微电子行业的氧化锡/铟氧化锡层的选择性蚀刻剂，可高效的对陶瓷，绝缘层，半导体和多种金属底层上的氧化锡/铟氧化锡沉淀膜进行蚀刻，具有边界清晰，蚀刻速度可控的特性，与正负性光刻胶良好兼容。TE-100 不可用于含镍，铜，镍锘合金和铝的材质。

特性：
外观--深琥珀色
蚀刻率（室温25°C）--15-20 Å / sec（浸没）
工作温度--40-50 °C
漂洗--去离子水
存储--20-25 °C
有效期--一年（15-25 °C）

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铬蚀刻剂Chromium Etchants
1020 and 1020AC
Transene的1020和1020AC铬蚀刻剂是一种高纯度可精确清洁蚀刻铬或氧化铬薄膜的硝酸铵铈产品，1020AC是不含硝酸的低速蚀刻剂，两种产品均可配合正负性光刻胶使用，1020 为渗入型，最小蚀刻尺寸达到0.2微米，1020AC可完成微细凹槽蚀刻，使用后用去离子水清洗即可

特性
                              1020                   1020AC
外观：                         透明，橙色             透明，橙色
比重                         1.127-1.130          1.127-1.130
滤透尺寸                      0.2 micron                   -----
工作温度                      可变                      可变
蚀刻率（ 40 °C）             40 Å / sec          32 Å / sec
存储                            室温                      室温
清洗                            去离子水             去离子水

应用：蚀刻温度根据膜的厚度不同变化，室温下蚀刻时间从15秒到60秒。注意：操作必须在通风罩内进行。

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铬金属陶瓷蚀刻剂TFE（Chromium Cermet Etchant TFE）

铬金属陶瓷蚀刻剂TFE是一种应用于微电子行业的选择型铬蚀刻剂，可高效的蚀刻沉积在铜，镍，金底层上的铬薄膜。此种铁氰酸钾为主要成份的蚀刻剂仅可和负性光刻剂融合，另外，在TFE是蚀刻氧化铬，硅化铬和硅铬氧化沉积层的最佳选择。

特性：
外观：    琥珀色
蚀刻率：  15-20 Å / sec（50 °C）
工作温度： 40-60 °C
清洗：    去离子水
存储：       室温
光刻胶：负性
兼容金属：金，铜，镍

应用：铬金属陶瓷蚀刻剂TFE是专用于蚀刻铜，金，镍材质感光底层上的铬，氧化铬，硅化铬和硅氧化铬薄膜的蚀刻剂。对于厚度较大的薄膜可以通过加热到40-60 °C以加快蚀刻速度。

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