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标题: PMMA上镀SiO2与TiO2，工艺条件为何？ [打印本页]

作者: victorrose 时间: 2008-8-31 01:32
标题: PMMA上镀SiO2与TiO2，工艺条件为何？
请教各位先进
若要在PMMA上镀SiO2与TiO2，工艺条件为何？

作者: victorrose 时间: 2008-9-9 02:07
有试将PMMA基材以70度C的温度加热30分钟，之后先用离子枪做清洁，再进行镀膜（无IAD，制成温度为70度C），结果SiO2及TiO2无法接着在PMMA上。请问是哪制程出了问题？

作者: nation 时间: 2008-9-11 15:17
其它条件呢？？？？？

作者: victorrose 时间: 2008-9-13 03:42
压力：1.5*10^-3Pa，还需要知道哪些条件？

作者: victorrose 时间: 2008-9-17 22:57
是否有先进做过此制程，小弟还在努力中…

作者: HOM2 时间: 2008-9-18 07:40
第一层不能用电子枪蒸镀。也不用离子源清洁。

作者: fawang 时间: 2008-9-18 19:20

原帖由 HOM2 于 2008-9-18 07:40 发表
第一层不能用电子枪蒸镀。也不用离子源清洁。

？？？那要怎样镀第一层？难道小功率清洁10s也不行？

作者: martin1980 时间: 2008-9-19 10:53
没有离子辅助膜肯定不牢的.

作者: jhxxmlhk 时间: 2008-9-19 11:04
TiO2 Rate=0.5nm/sec APC=1.4E-4Torr
SiO2 Rate=2.5nm/sec APC=8.0E-5Torr
IAD USE

Hall Ion Beam Source)
               Anode Voltage  180V
               Anode Current 6A
               Filament  Current  15A
Etching before coating 3min
Temp:60  Delay Time:30min
Material: CR39? MR200?

作者: tfc 时间: 2008-9-19 14:08
人家问的是PMMA啊！
先加硬是一个办法。

作者: 宇宙深处 时间: 2008-9-20 08:57
在压克力板上镀SIO2、TI3O5应该是没有问题的。镀前烘烤与清洁也是没有问题的。真空1.5*10-3也是足够的。膜无法附着、或附着力不强。
可能是：
1、真空计被污染，呈现出假真空。
2、PMMA防滑剂太厚。
3、蒸发SIO2时释放出较多的O2以至真空不够高

作者: qx__wei 时间: 2008-9-20 15:25
必须离子镀，IAD。SiO2 Rate=2.5nm/sec ，是不是太高了，转架RPM?

作者: huang12949 时间: 2008-9-22 23:37
PMMA上镀这玩意,不用IAD也是可行的
问题是你镀了多少层上?你怎么知道就没有镀上去?说的不具体.

作者: fawang 时间: 2008-9-23 16:26

原帖由 宇宙深处 于 2008-9-20 08:57 发表
在压克力板上镀SIO2、TI3O5应该是没有问题的。镀前烘烤与清洁也是没有问题的。真空1.5*10-3也是足够的。膜无法附着、或附着力不强。
可能是：
1、真空计被污染，呈现出假真空。
2、PMMA防滑剂太厚。
3、蒸发SIO2 ...

蒸发SIO2会放O2吗？如果蒸镀时会放O2，那成膜的就不是SIO2，是吗？有些不理解，请指教！

作者: huang12949 时间: 2008-9-23 21:05
不是SIO2放O2,而是SIO2缺O2吸收.

作者: victorrose 时间: 2008-9-26 00:18
标题: 回复 13# huang12949 的帖子
关于各层的镀膜厚度可有光亮监控设备来监控

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