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标题: MF gener [打印本页]

作者: noodlesy 时间: 2009-2-4 16:22
标题: MF gener
中频电源

反应溅射过程中，打弧很容易造成靶表面孔洞，破坏了工艺稳定性以及成膜质量。因此必须抑制由于自溅射在靶表面引起正电荷堆积而导致弧的产生,以硅靶为例： Eb=3*10E5V/cm, （击穿场强）
ξr=3.7,Ji=1mA/cm2 （ξr为电通量密度）
Τ=ξ0*ξr* Eb/ Ji~10KH
所以选择中频可以有效地抑制电弧，当然还有一些不可避免的电弧通过MF-ARC管理功能实现快速灭弧。
电弧的数量还取决于施加于靶表面电压高低、靶材内部缺陷、和靶材自身温度。因此为了保证工业化应用中靶的稳定运行，直接水冷而且靶材导热性能良好的情况下所施加的功率密度应该在25W/cm2以下。间接水冷而且靶材导热性能良好的情况下所施加的功率密度应该在15-20W/cm2以下。
如果靶材导热性能差、靶材由于热应力而引起碎裂、靶材含有低挥发性的合金组分等情况施加功率只能在2-10W/cm2以下。这也直接限制了施加在靶材上的最大功率。另外对靶材的成分、纯度、密度、颗粒度、气体含量等要求也相当高。

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