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标题: Sputter真空镀膜机结合力问题 [打印本页]

作者: accessren 时间: 2009-2-8 14:51
标题: Sputter真空镀膜机结合力问题
各位大虾：　最近发现一个奇怪的问题，我们公司的真空镀膜机镀出来的铜膜结合力有所下降。为了增加铜与有机物的结合力我们采用铜与有机物中间镀一层钛增加其结合力，之前可以达到６Ｎ而现在只有４Ｎ　找了几天原因了没有找到　是不是成膜温度有关？还是其他原因？　镀膜结合力与什么参数关系最大？　请指点　谢谢

作者: zzzz 时间: 2009-2-9 08:05
这可不好说
不同的设备\工艺\设计的影响是不同的

作者: noodlesy 时间: 2009-2-9 08:32
试一下氮化钛?
个人意见

作者: xbimr 时间: 2009-2-9 09:23
请说明溅射机大致配置大致工艺条件和具体基片情况，别人才能分析。因为影响的因素太多了。不过通常有机基片，进行等离子体清洗是有利于提高结合力的。也可以和我联系：bob.zhang@vacprotek.com

作者: accessren 时间: 2009-7-6 14:33
首先感谢，溅射机器分为7个腔室Loading chamber  Degassing Chamber  Cooling Chamber 1  Pre-treatment Chamber Me-deposition process chamber Cooling Chamber 2  Unloading chamber 换靶时发现靶材上面有很多晶体颗粒，是否有关？溅射之前是有等离子蚀刻机进行清洗的，怀疑跟材料有关，换一种材料就OK了，成膜温度不能太高，最大控制在160摄氏度，还有没有其他方法增加结合力的？

作者: zzzz 时间: 2009-7-6 14:48
有可能是CU靶的问题
这个比较简单,先排除

作者: 574805783 时间: 2009-8-9 16:52
只能看看，帮不上忙

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