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标题: 请教晶控方面的问题 [打印本页]

作者: ferry 时间: 2009-4-29 22:42
标题: 请教晶控方面的问题
用的360的晶控，当烘烤温度250左右时，预熔阶段晶控仪上常会有速率出现，但有时也会没有。
不知道引起晶控速率变化的原因是什么？
初怀疑真空室太脏，烘烤把残余膜料分子打出引起，后把真空室彻底清洗后，依然有上述问题出现。
也有晶控速率显示为0时，但不多，多半会有，且速率变化的频率和幅度不一。
难道是温度有梯度变化引起的？

作者: longmin 时间: 2009-4-29 23:14
水晶对压力,温度极为敏感
如果不是寿命以到
朝这两方面寻找答案准没错

作者: killjackson 时间: 2009-4-30 08:12
LZ，360是在清场大甩卖，本身会有很多问题的。

作者: wazxq 时间: 2009-4-30 08:38
同意。。。

作者: jhxxmlhk 时间: 2009-4-30 09:34
1.shutter遮挡完全否？
2.晶控头冷却水；接线不良（振荡器）

作者: ferry 时间: 2009-4-30 16:26

水晶对压力,温度极为敏感
如果不是寿命以到
朝这两方面寻找答案准没错
longmin 发表于 2009-4-29 23:14

你说的压力，是指冷水的水压还是指真空室的大气压强？

作者: tyronewang 时间: 2009-4-30 21:48
冷却水的流量,晶控对温度还是比较敏感

作者: longmin 时间: 2009-4-30 22:34
兩者皆是
水壓不足溫度無法恆定
真空室的大气压强,變化大也會影響

作者: 13599929219 时间: 2009-4-30 23:29
检查晶振片的水温是否正常，另外还有一个就是电子枪二次电流干扰了晶振片引起的，你可以做一下试验测试一下不是这个问题引起的就好了。也可以加我QQ79293732直接交流。

作者: shuangzixing 时间: 2009-5-1 14:48
电压和磁场干扰。晶片的有效度，管子里水是否有堵住。

作者: milantree 时间: 2009-5-8 11:53
晶振片速率不稳定
1. 参数设置不当 PID
2. 温度不稳定
3。探头保养不良，接触电阻不稳
4。源电子枪的问题
5。晶片表面污染
6。镀膜工艺（高应力--高速/低温）

作者: xiazg 时间: 2009-5-9 13:32
怎么不换晶振片啊，有问题了，还用，太崇外了吗，联系我，我送你几片试试看15068338773

作者: ferry 时间: 2009-5-13 18:20

检查晶振片的水温是否正常，另外还有一个就是电子枪二次电流干扰了晶振片引起的，你可以做一下试验测试一下不是这个问题引起的就好了。也可以加我QQ79293732直接交流。
13599929219 发表于 2009-4-30 23:29

试晶控时，电子枪是没有开的，预熔阶段也是不稳定。
不知道你所说的二次电子干扰，具体应该如何试呢？

作者: yogankin 时间: 2009-7-6 15:09
我是嘉兴晶控电子有限公司的,我公司主要从事晶振片的生产,采用全进口设备生产,质量跟进口INFICON,FILTECH一样,价格较进口的有很大优势,成都光机所使用我们的晶振片.我们的客户有水晶光电,凤凰光学,日本京瓷等.附件是我公司的简介,如有需要我们可以提供样品试样.联系方式:0573-83221133,15888310198杨先生

作者: nd1978 时间: 2009-7-7 13:50
是MDC-360在每层开挡板前，会出现蒸发速率吧？蒸发速率先经历几秒钟的上升到最大，然后回到0，整个过程像一个波峰，持续大概10秒以内；我也发现有这个问题；分析是什么会造成这个奇怪的现象呢？
   温度么？温度在几秒钟内会出现几度的变化么，显然不会（拿电炉子烧开水变化才这么快），即使在预溶材料的时候温度可能会上升（熔料过程中挡板是关着的），热量向晶振头的辐射也是有限的，退一步说，AT切割的晶体，即使温度在预熔阶段导致晶振片有2-3度的温度变化，其频率的影响大概也就0.1-0.3HZ这个数量级的，对应的速率为0.01A/S,360上显示的速率明显大很多；
   二次电子呢？电子枪打开，会产生二次电子，不过挡板关着，二次电子怎么打到晶片上去呢？从下往上看，你能看到的整个晶振组件，包括信号线，水管，探头座，包括晶振片，都是屏蔽的（即都是和地线接通的），即使少数二次电子打到晶振片上，应该也没什么影响啊，如果在预融过程中，挡板关着的情况下，二次电子影响就这么大，开着挡板什么膜都没法镀了；
   我到认为是真空的影响，当前一层镀完，关闭了电子枪，挡板后，整个真空系统处于一个平衡状态，当另外一把电子枪突然打开，材料会出现放气，导致在前几秒中，气压不断上升变化，晶振感应到这个气压的变化，显示出来一个蒸发速率，预熔几秒中后，气体又达到另外一个平衡，速率又恢复到接近零；
那么请楼主要注意观察一下，是不是用新的SIO2出现速率比较明显，而镀到很后面，SIO2的这个现象就不明显呢？另外就是预溶设置的第一个功率的大小不同是不是出现的速率也不同？请楼主注意下，贴出来，我也想弄明白这个道理；不过好像这个问题并不影响镀膜的精度，我估计MDC360在设计的时候，当膜系跳到下一层，即下一层的蒸发源一触发，其就开始采集频率，等到该层挡板打开的命令触发，其自动重新开始记频率，将此前预融的数据清掉；LEYBOLD,IC5这些不会出现这个问题，是因为它是从挡板开的那一刻才开始记录频率的，预溶阶段根本就没有采集计算速率；所以在预溶的时候时间最好整个过程大于10秒中，这样即使出现那个问题，对镀膜也没什么影响的；

作者: tfc 时间: 2009-7-8 11:06
基本同意楼上，还要考虑坩埚档板极其膜层受热对温度、真空的影响，MDC360在设计的时候，当膜系跳到下一层，即下一层的蒸发源一触发，其就开始采集频率，是一个校对过程。
预熔与恒真空可以使其变化减少。

作者: zzzz 时间: 2009-7-8 15:21
开板前有发现MDC360会显示的吗??

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