标题: si APD（雪崩光电二极管） [打印本页] 作者: 透明的玻璃 时间: 2003-4-8 01:29 标题: si APD（雪崩光电二极管） 想请教各位高手，关于APD工作时的反向电压和击穿电压的区别，如果有哪位知道请告知。作者: muddyren 时间: 2003-4-9 01:07 标题: si APD（雪崩光电二极管） 反向电压在APD中比较高，当APD的增益区与吸收区没有分离时，高的反向电压很容易造成击穿。一般来说当还没有达到需要的反向电压时就会击穿。所以一般来说应该将增益区与吸收区分离。作者: Liuw 时间: 2003-4-10 17:19 标题: si APD（雪崩光电二极管） 雪崩二极管作为光探测器使用，必然要外加反向偏压，就是 V reverse 。
反向偏压由0开始增大，耗尽层加宽，当雪崩区域完全耗尽，此时电压称为拉通电压
V through 。
进一步增大电压，在一定范围内，光生载流子与晶格碰撞达到平衡，速度饱和，此时可以获得比较稳定的增益，同时也具有比较高的反应速度。
电压进一步增大，某些载流子获得了很大能量，发生“碰撞离化”，即某个电子或空穴与晶格碰撞释放的能量激发了新的电子空穴对，进一步链式反应，暗电流和光电流有几个量级的增大，就说APD击穿， V break