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标题: 镀sio2时需要充氧吗？充多少啊？ [打印本页]

作者: sunyan 时间: 2009-8-23 09:48
标题: 镀sio2时需要充氧吗？充多少啊？
镀sio2时需要充氧吗？充多少啊？

作者: 526951749 时间: 2009-8-23 10:45
有的充氧有的不充,看你用的什么设备,看你的需要而定,折射率不同而已,我们蒸镀是在真空环境下,不充氧

作者: likesongs 时间: 2009-8-23 10:54
学习了!mnjgvbjmbvjmgh

作者: qlxk1026 时间: 2009-8-23 13:29
一般O2/AR>0.6,O2=35SCCM，AR=15SCCM

作者: ghtzna 时间: 2009-8-23 14:43
基本不，
影响不大

作者: longmin 时间: 2009-8-23 16:45
其實如果採定壓力時
充的量是隨時間越來越多
只要製程條件一定
及可
這是個人的建議

作者: jixiaoming 时间: 2009-8-24 14:11
二氧化硅，我个人觉的完全没有必要加氧气

作者: zzzz 时间: 2009-8-25 08:06
只要产品能镀好,想加多少加多少

作者: jinyu2100 时间: 2009-9-1 11:13
是PECVD or Sputtering?
我们用PECVD, SiH4+O2+Ar or SiH4+N2O

作者: lab6 时间: 2009-9-1 11:57
高质量的sio2膜还是需要冲一些氧的，不过需要离子辅助，提高氧的活性

作者: zhaohn868 时间: 2009-9-1 12:13
二氧化硅，我个人觉的完全没有必要加氧气
看你用的什么设备,看你的需要而定,折射率不同而已

作者: 槟榔 时间: 2009-9-1 14:58
根据产品性能要求而定

作者: lxf0103 时间: 2009-9-1 17:02
我们做的AR和HM及RM,PBS中都没给冲过啊!~~

作者: lao7_tao 时间: 2009-9-1 20:30
如果要制备无吸收薄膜时，还是要充一些的。我们充5SCCM即可。

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