|
液浸曝光技术国际会议--“第3届液浸曝光技术国际研讨会(3rd International Symposium on Immersion Lithography)”10月3日于日本京都正式开始。与会者总计超过360人。会上,对液浸技术的实用化展开了热烈的探讨,同时对使用水的液浸技术下一个目标的探索也成了此次会议的焦点。 此次会议的特点在于,发表了利用整片曝光设备,并依据量产条件对实际元件进行曝光的成果。 作为技术课题之一的晶圆载物台扫描速度也达到了400~500mm/秒,而且缺陷也减少,表明已经达到实用水平。在工艺方面,基本上都采用了顶涂层,表明可通过优化材料大幅降低缺陷数量。这一点恰恰证明了作为液浸时代特点,设备和工艺的融合是非常重要的。 发表主题演讲的是韩国三星电子的Seok-Hwan OH。他根据集成密度每年翻一番的“黄(昌圭)氏法则”,介绍了液浸技术的发展现状,同时还指出了曝光技术发展蓝图在实现EUV曝光前一阶段中存在的不足之处。他表示,2008年在使用高折射率材料的液浸工艺中需要高开口率设备。从会议第二天开始将对此展开讨论。 荷兰ASML Holding NV(ASML)公司指出,利用气帘式喷嘴能够广泛满足晶圆表面的疎水性及亲水性要求,并表示作为液浸课题的缺陷问题已经降至8个/晶圆以下,而且还克服了汽化热的影响,从而使得覆盖精度得以提高。关于缺陷问题,该公司就液浸特有现象的发生原因,以及水与光刻胶之间的相互作用发表了自己的看法。投影光学系统方面,介绍了NA1.2的串联式反射折射型光学系统的实际情况,将来有望达到NA1.35。 尼康根据色散补偿的优势,介绍了NA1.3的反射折射型光学光学系统的设计概要。唯一的问题就是光学系统的镀膜处理,但可通过在镜片部分采用等比例结构进行补偿。同时还宣布,在串联式载物台结构中,400mm/秒的扫描速度在缺陷、覆盖和对焦精度方面就能达到足够的性能。该公司表示,尤其是利用HMDS覆盖晶圆斜面部分,就能抑制因边缘部分发生剥落而导致微粒的产生。 佳能表示在曝光过程中曝光设备会逐步粘上灰尘,同时还谈到了设备除尘的可能性。接着还表示,在100~500mm/秒的载物台扫描速度下,缺陷数量将保持在10个/晶圆的水平下。各曝光设备厂商都肯定了设备除尘的必要性,它已经成为液浸技术必须的功能。 同时,作为设备用户,东芝、NEC电子以及荷兰NXP半导体等公司公布的数据则肯定了曝光设备厂商上述发言的正确性,表明了上面所讲到的工艺与设备相融合的重要性。除此之外,会上还提到了针对新一代曝光设备的双图案分析(比利时IMEC公司),以及适用于液浸处理的新光刻胶以及顶涂层方案。 原文网址:http://china.nikkeibp.com.cn/china/news/edit/semi200610060125.html |