用电子枪镀ITO 工艺参数要如何设置

baron · 发表于 2009-1-20 23:12:14

ITO膜
用电子枪的加离子源
蒸发速率要控制在多大
已经蒸镀的温度多少才最适合
希望有经验的兄弟多多指导
谢谢！！！

jhxxmlhk · 发表于 2009-1-23 09:07:44

速率0.1nm/s，O2 10sccm，Thickness=25nm。方阻大概700欧左右。

jhxxmlhk · 发表于 2009-1-23 09:09:15

镀膜温度30度，速率0.1nm/s，IAD O2 10sccm，Thickness=25nm。方阻大概700欧左右。

jhxxmlhk · 发表于 2009-1-23 09:26:47

透明导电氧化物薄膜主要包括In、Zn、Sb和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料,
具有禁带宽（红外反射大于80%、紫外吸收大于85%、微波衰减大于85%）、可见光透射率高
（大于85%）和电阻率低等特性。透明导电薄膜以掺锡氧化铟（Indium Tin Oxide，ITO）
为代表，广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域。
影响ITO薄膜光电特性的工艺条件主要有掺锡浓度、热处理温度和热处理时间，在掺锡
浓度为20%（质量分数），热处理温度为450℃，热处理时间为15min条件下制备的ITO薄膜
的光电特性较好。采用上述工艺制备的ITO薄膜的方阻约为300Ω／sp，可见光平均透过率
为80%，膜厚约为25nm，电阻率约为4×10-3Ω*cm。
　　广州半导体材料研究所的SDY-5四探针电阻测试仪测试方电阻．
随着基片温度的升高 ,薄膜的方块电阻呈下降趋势 ,基片温度的高低对ITO薄膜方块电阻的
"大小影响很大。这是因为低温下沉积的 IT O薄膜中晶界附近堆积着大量的吸附氧 ,这些吸附氧
"
为电子陷阱捕获电子 ,而使载流子浓度降低 ,衬底温度的提高有利于薄膜吸附氧的脱附 ,从而使
"晶界缺陷数目减小 ,导致载流子浓度增大 ,使薄膜的导电性得到改善。
"
"　随着氧分压的升高 , ITO薄膜可见光透过率变化不大 ,而ITO薄膜紫外透射光谱的吸收截
"
止边带向短波长方向漂移。ITO薄膜的方阻随氧分压的升高而增大。这是由于在基片不加热的条
件下 ,在基片上吸附的氧很难脱离基片 ,使薄膜中掺有氧杂质 ,而氧分压越大 ,薄膜中氧浓度
越高。氧杂质中心对载流子的散射几率的增加导致薄膜方阻的增加。

lunik · 发表于 2009-1-31 09:15:03

学习了，呵呵！好人呀，祝新年快乐！牛年大吉！！

中校 · 发表于 2009-2-2 11:44:35

不愧是大师..........

baron · 发表于 2009-3-3 00:23:16

那我要镀制100欧姆左右的方块电阻该怎么设计

宇宙深处 · 发表于 2009-4-4 22:31:03

用溅镀机镀！！！！！！！！！！！！！！！！

likesongs · 发表于 2009-8-23 12:04:12

真好!我祝各位发大财!

sunyan · 发表于 2009-8-23 18:18:35

说的很有道理！！！！！！！！！！！！！！

wazxq · 发表于 2009-8-24 10:58:12

做这个还是溅射有优势。。。。。

wazxq · 发表于 2009-8-24 11:00:30

本帖最后由 wazxq 于 2009-8-24 11:02 编辑

这里有没有溅射作ITO的，说说能做到的水平

用电子枪镀ITO 工艺参数要如何设置

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