|
|
8楼

楼主 |
发表于 2011-1-18 16:02:50
|
只看该作者
本帖最后由 yunzhongmanbu 于 2011-4-22 13:58 编辑
红外探测器
美国JUDSON公司HgCdTe、Ge、InSb、PbS、PbSe、InAs、InGaAs制冷和非制冷探测器.
波兰VIGO公司HgCdTe制冷和非制冷探测器
美国InfraRed公司InSb和HgCdTe液氮制冷探测器.
可见光、红外探测器
美国EOS公司Si、HgCdTe、Ge、InSb、PbS、PbSe、InAs、InGaAs制冷和非制冷探测器,其中包括一些模块,和直接带前方的探测器
紫外探测器
德国IFW公司SiC紫外探测器
InGaAs 雪崩光电二极管(APD):
美国Voxtel InGaAs雪崩光电二极管(+TIA,+光纤等多种选择)
四象限探测器:
美国JUDSON公司Ge四象限探测器.
波兰VIGO HgCdTe四象限探测器.
线阵探测器:
近红外InGaAs线阵探测器(现货供应):256*1.
中波:PbSe256×1线阵探测器.PbSe64×1线阵探测器.:
面阵探测器:
近红外0.9-1.7um:I nGaAs面阵探测器:320*256和640*512
中波2-6um bSe面阵探测器:32*32
长波8-14um:384*288,160*120
红外热像机芯:50HZ实时成像,快速移动无拖尾。
高灵敏度探测器:25um像元间距、NETD<65mk.
|
|