光电工程师社区

标题: H4讨论 [打印本页]

作者: ofeiying    时间: 2003-11-1 19:14
标题: H4讨论
充氧量对含有H4的膜系有什么影响,影响有多大?
作者: gaelicjzero    时间: 2003-11-9 05:15
标题: H4讨论
h4是什么?f4我到知道。告诉我好了。
作者: kingman    时间: 2003-11-17 06:11
标题: H4讨论
我用过!但是,因为是新手上路,还不是很清楚,不好意思。哈哈:)
作者: 楼细雨    时间: 2003-11-21 03:10
标题: H4讨论
H4其化学式为:LaTiO3

作者: wcb674399566    时间: 2011-10-22 20:33

作者: 良哥    时间: 2011-10-24 11:50
一、H4膜料的特性

成分 钛镧混合物
外观 1-4mm的黑色颗粒
密度 5.9g/cm3
熔化温度 1800℃
沉积温度 2200-2300℃
沉积源 电子束
坩埚 铜或钼
氧气压力 0.8-2×10-4
沉积速率 0.2-0.8 nm/秒
基片温度 大约30-300 ℃

二、H4膜层的特性

基片温度 大约30℃ 300℃
500nm时的折射率 1.99 2.12
400 nm时的吸收 <2×10-4
吸收边缘 300nm
*吸收边缘是指在膜厚为270nm的膜层上,透光率为80%的波长。  

三、折射率的散布

基片温度 散布公式
大约30 ℃ n=1.887+25410/波长2
100 ℃ n=1.982+29820/波长2
300 ℃ n=2.009+28880/波长2

作者: haitao1573    时间: 2011-10-27 23:12
长知识
作者: Martin_Ko    时间: 2011-11-1 02:12
学习
作者: killjackson    时间: 2011-11-1 10:01
充氧对紫外端影响大,红外不大。
有离子源的话5-25SCCM,根据自己的机器调整




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