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标题: 蒸发速率影响膜层结构疏松问题 [打印本页]

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-11-30 19:54
标题: 蒸发速率影响膜层结构疏松问题
在该论坛看了很多关于膜层不牢的问题，其中就蒸发速率有两种不同的说法：
1.蒸发速率大，导致膜层结构疏松，膜层不牢
2.蒸发速率大，膜层越紧密，膜层越牢(我一直是这么认为的)
我也做了一次实验，但是还是不敢妄下结论，我前后做了两次单层MGF2实验，第一次的速率设定是4A/S,第二次是8A/S，测试结果反映出4A/S的速率的时候膜层牢固度更好。这和我之前的想法矛盾了
请大家给分析分析，谢谢了

作者: 272813953 时间: 2011-11-30 23:20
1.蒸发速率大，导致膜层结构疏松，膜层不牢
2.蒸发速率大，膜层越紧密，膜层越牢(我一直是这么认为的)

你这话不是说的不对吗??????????

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-12-1 10:52

272813953 发表于 2011-11-30 23:20
1.蒸发速率大，导致膜层结构疏松，膜层不牢
2.蒸发速率大，膜层越紧密，膜层越牢(我一直是这么认为的)

就是互相矛盾的哈，所以请你们给自己的意见

作者: Jimmy_tang 时间: 2011-12-1 13:04
我想你是不是把单位时间的蒸发量和蒸发气体的速率弄混了？
蒸发气体的速度快才会附着更牢固吧。
参考晶体生长理论，单位时间内蒸发量大，除了导致膜料蒸发气体浓度增大外，还会导致膜层堆积时的缺陷增加吧？

作者: yibi11 时间: 2011-12-1 17:05
速率要合适，太快太慢对牢固度都有影响。两个方面来说这个问题，一般来说，基地与膜料能形成化合键，则牢固度更好，所以，一方面，蒸发速率快，则减少了它们反应的时间，那会降低薄膜的牢固度，可是另一方面，速率快，增加了沉积分子的动能而改善薄膜的牢固度。这本来就是一个矛盾的综合体，要找到合适的速率，太快太慢都不好。

作者: xiao2011 时间: 2011-12-1 18:40

作者: 缘睐汝痴 时间: 2011-12-1 18:57

yibi11 发表于 2011-12-1 17:05
速率要合适，太快太慢对牢固度都有影响。两个方面来说这个问题，一般来说，基地与膜料能形成化合键，则牢固 ...

恩，有道理，谢谢

作者: 272813953 时间: 2011-12-1 20:47

作者: E501559 时间: 2011-12-5 08:45
镀膜材料的不同，速率大小也有差异的，不能一概而论

作者: jiahao1985312 时间: 2011-12-5 13:10
虽然微观的分析我不敢下结论，但是我有一次故意把速率加大，爽到是爽了，但是出现麻点，且高功率过不了。所以从此，就慢工出细活

作者: ipshjh2005 时间: 2011-12-14 22:53

作者: likeoe 时间: 2011-12-14 23:30

yibi11 发表于 2011-12-1 17:05
速率要合适，太快太慢对牢固度都有影响。两个方面来说这个问题，一般来说，基地与膜料能形成化合键，则牢固 ...

沉积速率快，分子动能不会增加，应该是单位时间内的沉积分子数增加了。

作者: yibi11 时间: 2011-12-15 09:32

likeoe 发表于 2011-12-14 23:30
沉积速率快，分子动能不会增加，应该是单位时间内的沉积分子数增加了。

我只是照书直搬，微观的分析我并不在行，不过速率过快过慢肯定都不好这个结论却是显而易见的。。

作者: 伤伈↑卟仝 时间: 2011-12-26 15:13
那我镀膜时，MgF2我存有两种数据，4A/S和8A/S,平时都是4A/S，但是最近不知道怎么搞的，镀膜时出现maximum power （功率最大）导致电流及速率一直升不起来，无法进行蒸镀，改用8A/S才可以！为什么

最近SiO2 又出现这种情况，我真的郁闷了，我狂改最大功率才可以，但这也不是办法啊，谁能够告诉我为什么会出现这种情况！

作者: 宇宙深处 时间: 2011-12-26 18:20
其实这里面有很多问题：
1、增加速率是通过离子助镀还是加大蒸发电流？（这两者有很大区别，加大电流膜材也会增加分解的量，有部分被分解的气体是不参与反应的）。
2、不同的速率会有不同的结晶形态，而不同的晶体形态其稳定性也是不一样的。
3、速率过大，会有更大的机械撞击。（会将原本镀在基材又打松掉）

作者: likeoe 时间: 2011-12-26 22:00

likeoe 发表于 2011-12-14 23:30
沉积速率快，分子动能不会增加，应该是单位时间内的沉积分子数增加了。

用猛火烧开水与用温火烧开水，所生产的蒸汽量(单位时间内)是不同的，但水蒸汽的动能并不因为猛火而增大，就这个道理。

作者: 蓝色海洋 时间: 2011-12-29 16:13

yibi11 发表于 2011-12-1 17:05
速率要合适，太快太慢对牢固度都有影响。两个方面来说这个问题，一般来说，基地与膜料能形成化合键，则牢固 ...

也有点道理

作者: CLT 时间: 2011-12-30 00:36
蒸发速率的大小，直接影响到膜层的沉积速率。沉积速率对膜层的结构与厚度分布都有很大的影响。当沉积速率慢时，临界核少，生长慢，吸附原子在平均滞留时间内，能充分地沿表面移动。在适于生长的位置上，形成岛状结构，并捕捉飞来的分子，原子再继续生长成膜。这些膜的颗粒大，空隙较多。当沉积速率过快时，临界核多，很快地普遍生长成颗粒。但颗粒不大，平均厚度转薄时，颗粒就连接成致密的薄膜。
抄于光学薄膜技术，

作者: WEI爱依旧 时间: 2012-1-11 22:53

作者: jionboy 时间: 2012-1-17 10:42
我觉得只做这么个实验有点片面，毕竟影响的因素太多了

作者: fanx2000 时间: 2012-2-22 17:06
学习了

作者: wdydede 时间: 2012-5-11 00:40
就MGF2而言，应该还是快点牢此!

作者: royyang 时间: 2012-6-1 23:36
学习

作者: royyang 时间: 2012-6-1 23:40
学习

作者: huang12949 时间: 2012-6-2 11:27

宇宙深处发表于 2011-12-26 18:20
其实这里面有很多问题：
1、增加速率是通过离子助镀还是加大蒸发电流？（这两者有很大区别，加大电流膜材也 ...

离子助镀，实际上对增加速率存在疑惑。生产中相同的膜厚，开离子源和不开离子源镀后效果相比，前者表象过厚，后者显象过薄。这个怎么解释呢？是开离子源蒸发粒子到基底上产生的薄膜更接近块状材料特性？求解。。。

作者: 相伴/sun天涯 时间: 2012-6-2 13:59
镀MGF2 温度会影响膜层的牢固度的所以温度达到速率小比大好

作者: wdydede 时间: 2012-6-2 20:55
用舟镀时，以不打点为前题，越快越[牢。

作者: qs2784 时间: 2012-6-21 22:14
还是要多验证一下寻找适合点

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