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标题: IR 镀膜 ,,SI2O 速度 一般使用多少 啊 [打印本页]

作者: ren619    时间: 2009-4-14 18:15
标题: IR 镀膜 ,,SI2O 速度 一般使用多少 啊
SI2O  速度 一般使用多少 啊
作者: ren619    时间: 2009-4-15 11:37
以前用 0.2nm/s,,现在用0.12nm/s 光洁度 有没有影响啊,IR镀膜,无离子源 ,sio2 ,规格2*2t
作者: tails3582    时间: 2009-4-15 15:27
这么慢,有竞争力么?
作者: lunik    时间: 2009-4-15 15:35
呵呵。是好慢呀。不知道是否是写错了
作者: ZHJ7239    时间: 2009-4-17 23:57
SIO2速度 0.7-0.8nm/S
作者: zzh1011    时间: 2009-4-18 00:45
是好慢呀!最小也要有0.5
作者: xiu0214    时间: 2009-4-18 16:50
一般設定4-6 但太慢或太快則膜附著力不好
作者: 999520    时间: 2009-4-18 19:33
0.8到1.0左右,太慢膜层不牢!
作者: ren619    时间: 2009-4-19 10:29
不好意思 写错了  以前 2nm/s   现在 1.2nm
作者: 随风2008    时间: 2009-4-20 20:55
1nm/s+离子源
作者: jhxxmlhk    时间: 2009-4-21 14:02
25埃/秒,有IAD更好。




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