磁化方向随磁壁位置而改变
NEC和日本东北大学为实现CAM非易失化采用的是垂直磁壁元件。这是使磁化与电流垂直,优化了结构和材料的元件。如图2所示,该元件由钴镍(Co-Ni)叠层膜构成的磁性体层(自由层)和钴铂(Co-Pt)叠层膜构成的强力磁铁(引脚层)组成。
垂直磁壁元件和存储机制
为使自由层两端的磁化方向相反,用引脚层固定,因此中途会形成磁化方向由向上变成向下的壁(磁壁)。写入电流通过时,该磁壁的位置移至电流上流(电子流的下游)。
电流沿着长度方向在自由层内部流动。在电流流入流出的自由层两端的下部配置引脚层,将自由层两端的磁化方向一端向上固定,另一端向下固定。
从微观来看,这时的自由层磁化方向就是Co-Ni叠层膜的不成对电子的自旋方向。因此,电子在自由层内从磁化方向向上侧向向下侧流动时,新流入自由层的电子向上自旋。
同时,该电子将向上自旋的原有不成对电子挤向下游。该不成对电子进一步将下游的不成对电子挤向下游,不成对电子就像台球一样依次传向下游。
结果,自由层内磁化方向突变的磁壁的位置也向电子流的下游(电流的上流)移动。从而使得自由层长度方向中央部的磁化方向向上(信息“0”),改变电流方向时,磁化方向就变成向下(信息“1”)。
这样,垂直磁壁元件就能够根据电流(写入电流)方向来移动磁壁的位置。由于磁壁的位置一直保持到下次写入电流通过,因此即使切断电源也能够保存信息。 |