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离子源(Ion Beam Sources)的分类及原理
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离子源(Ion Beam Sources)的分类及原理
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yang1268
Lv.7
发表于
2011-6-27 13:43:45
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本帖最后由 yang1268 于 2011-6-27 15:32 编辑
Kaufman离子源
kaufman离子源是应用较早的离子源,属于栅格式离子源。首先从热阴极发射出来的
电子
经过阴极鞘层被加速而获得相应于等离子与阴极电位差的能量,它与进入电离室的气体原子相碰撞,气体原子被碰撞电离,形成离子及二次电子,电子及离子形成放电室等离子体。该放电等离子体在发散磁场作用下引向栅网离子光学作用区。由于离子光学的作用,离子被拔出,并形成离子。每个小孔形成的离子束经过发散混合及中和形成带能量、中性的宽离子束。由离子所获得的能量应是阳极电压与屏极电压之和(一般而言,由于阳极电压远小于屏极电压,故近似考虑屏极电压为离子加速能量)。该离子束有能量、方向、具有一定宽度口径、又是中性的离子束,在无场空间中对光学膜进行
加工
,离子束参数(能量,束流密度)可以方便控制,再现,与气压无关,这就大大增加了
工艺
的稳定性。
微波ECR离子源
微波电子回旋共振(ECR)离子源是一种无阴极源,具有电离度高、束流强度大、气压低、性能稳定等特点,是一种高密度低气压等离子体源,能够在较低的气压下产生大面积均匀的高密度等离子体。
微波ECR等离子源装置是由微波源与传输波导、放电室、工作室、真空系统与配气系统组成。微波源采用频率为2.45GHz、功率可从0-400w连续调节,产生的微波经耦合波导、环行器、定向耦合器、阻抗匹配器及直波导输入放电室。放电室是行程高密度等离子体的区域,放电室为不锈钢圆腔,一端与微波输入波导相接,称为微波窗口,为了保持真空,微波窗口用绝缘陶瓷板密封,另一端与工作室相连;在放电室外侧,利用同轴线圈或永磁体组合成形磁镜场、发散场,提供电子回旋共振场并约束等离子体运动、扩散。在放电室中,电子在垂直磁场的平面上受洛伦兹力的作用而做回旋运动。当磁场强度在875Guass处,电子回旋频率和沿磁场传播的右旋圆极化微波频率都等于2.45GHz时,电子在微波电场中将被不断同步、无碰撞加速因而获得的能量将大于气体粒子的电离能、分子离解能或某一状态的激发能,那么将产生碰撞电离、分子离解和离子激活,从而实现等离子体放电和获得活性反应离子,行程高密度的ECR低温等离子体。
射频(RF)离子源
射频离子源中,气体通过一个专门设计的气体均压绝缘器进入石英放电室,13.56MHz的射频功率通过LC构成的人工传输线,感应进入放电室,产生了旋涡的周向电场。该电场可用来离化工作气体。采用三栅离子光学系统,离子光学系统中存在许多小孔,屏栅作为放电室中的阳极可以吸收放电电子,构成放电回路。屏极上又存在多个小孔,屏极小孔处由于有电场,在放电等离子体边界就会形成等离子体双鞘层。离子通过该弯月面鞘层发射电子,经过离子光学系统的聚焦加速形成离子束。该离子束也必须通过中和器进行强迫中和,中和器除了中和作用外,也能可靠提供低压离子源的点火起弧。
详情请参考 www.opturn.blog.sohu.com/entry/8463781/
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yang1268
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发表于
2011-6-27 13:43:57
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yang1268
楼主
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2011-7-3 18:27:23
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﹏ゝ﹏ゝ
Lv.5
发表于
2011-7-5 11:59:40
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小技工
Lv.7
发表于
2011-7-5 14:11:57
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yang1268
楼主
Lv.7
发表于
2011-7-5 14:19:48
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yang1268
楼主
Lv.7
发表于
2011-7-5 14:19:53
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逐梦者
Lv.7
发表于
2011-9-14 00:17:07
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浙江
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不错,就喜欢这样的。有时候直接打出来就好了,不用把弄成附件形式
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yezhi381009880
Lv.6
发表于
2011-9-15 09:33:15
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福建
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Jimmy_tang
Lv.8
发表于
2011-9-15 10:05:43
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江苏
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大家用的最多的,还是考夫曼离子源吧。
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cikelong2000
Lv.8
发表于
2011-9-23 11:00:54
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北京
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北京镨玛泰克全面提供各种功率离子源以及磁控溅射靶和各种弧源,有需要请联系13693572892
pmtek_lxl@163.com
一PowerIon系列圆形霍尔等离子源的特点简介
结构先进
等离子体束流大
可在高温环境下长期可靠工作
完全适用于反应气体
悬浮电位显示
安装简便、维护简单运行成本低
空间均匀性强
操作简单
I.
二阳极膜离子源的特点
 大束流,高密度
 无栅极和灯丝
 适合各种工作气体:O2, N2和
碳氢气体
 能在溅射压强下工作
 离子束能量范围:100~2000eV
 维护简单
基体预处理提高膜层附着力
提高膜层聚集密度
有效控制薄膜内应力,调整成分化学配比,优化显微结构
三受控型阴极弧源
 阴极弧源蒸发时而不产生熔池,可以任意方位布置,可采用多个弧源同时工作。
 离化率高于达80%,显著提高膜层附着力和性能。
 沉积速率快、效率高,无环境无污染、节能效果明显。
四溅射阴极源
 有限元计算磁场设计
 磁铁与水隔离, 避免性能退化
 高靶材利用率
 高溅射速率、高功率密度
 兼容射频和直流溅射模式
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