如何用电子枪可靠稳定的镀好氟化镁

以前镀氟化镁是用阻蒸加钼舟镀的，现在很多厂家都用电子枪镀氟化镁，尤其是镀制多层膜的时候。问题是用电子枪镀氟化镁时不时会出现氟化镁点，大家是怎样解决这个问题的呢？

楼上说的是散料直接预熔吧？我把我现在用的条件和你说下，帮我分析下看问题出在哪里。
1. 材料用的是奥普的氟化镁，颗粒3-4mm；
2. 坩埚尺寸外径35mm，内径31mm；
3. 机器南光1100，南京涉谷的枪，电压-7KV；
4. 上膜前先手动预熔一下，预熔光斑大小占坩埚2/3，预熔功率束流15mA，时间约180S。
上膜前晶控仪自动预熔条件:
第一段：功率上升30S  功率稳定60S   功率3.2%;
第二段：功率上升15S  功率稳定100S 功率3.5%。
然后开挡板。上膜速率5A/s。
之前一直用分层预熔，点子控制得比较好。但是分层预熔对预熔要求比较高，稍不注意就会喷溅，造成整炉报废，对新手尤其危险。
实际做下来发现电子枪光斑打得比较深。试过手动直接上膜，感觉

还有一个我的1100机蒸发源距离伞边缘的高度为92mm，距离有些大，导致光斑扎坑比较深，容易造成喷溅。试过恒定功率手动上膜，上膜速率会慢慢变快，从开始的5A/s逐渐增加到5.5A/S，然后到6A/s，手动上膜时同样的光斑大小扎坑比自动上膜要小一些。以前用过自动光控机，上膜时也是恒定功率上膜，扎坑也小的。当时是JEOL的枪，900机。

我们都没有这个问题

光明世界 发表于 2015-1-28 17:07
我们都没有这个问题

你那边是怎么镀氟化镁的？

我们公司镀 H4 和MgF2  组合，MgF2 蒸发速率为 3A/S，效果还可以

ivanyang 发表于 2015-2-1 12:57
我们公司镀 H4 和MgF2  组合，MgF2 蒸发速率为 3A/S，效果还可以

还有就是欲融时，束流大一点  15-20mA，融透彻一点。

x_x_x_f 发表于 2015-1-27 11:02
楼上说的是散料直接预熔吧？我把我现在用的条件和你说下，帮我分析下看问题出在哪里。
1. 材料用的是奥普的 ...

不用手动预熔，镀前自动预熔调长一些，以看到表面融化为液态为准，直接镀。
自动熔光斑加大至尽量全覆盖，束流提高。
tooling可能会变，微调即可。