环抛的光洁度是不是比传统抛光法差？

一个常听到的问题：环抛的光洁度是不是比传统抛光法差，而且还慢？本人想就此抛砖引玉谈一点体会。抛同样一个工件环抛盘相对盘径较大，就其整形速度及稳合速度讲显然要慢不少，特别是盘的局部误差修起来更慢些。如果只给一段有限工时，其结果就会导致前面的看法。实际上作为CP环抛，在经过一定时间修平后的环抛盘上，也是能抛出B=Ⅰ的光学平面。传统抛光有高速高压“拉干盘”等使抛失快，胶面软化的方法达到快而B好，这是事实。环抛盘的出现是补其不足而非替代。高精度平面的可控性，一直是平面加工的争夺点，CP环抛为此而生。也就是说各有侧重。就光洁度而言，传统抛光法精抛前的洗盘，用于环抛也有奇效。传统抛光法初抛，环抛精修N，是各自合适的位置关系。希望大家讨论。

影响光学零件表面质量的因素很多，但是非要说环抛比传统抛光法差，好象没有什么理由吧，关键还是各工艺因素的配合问题。

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但是我还是觉得环抛的质量的却要比古典法要差一些，至于效率，环抛可做到高效的。环抛比较适合一些要求不高的基片抛光，只要使用比较合适的抛光盘，例如锡盘，再提高转速，那么环抛的效率是完全可以提高的。

精度一般、批量大的用环抛更合适，精度高、批量小的只有用古典

也就是说，环抛用于精度一般，但是批量大的光学加工，而古典法抛光则用于高精度、中小批量的加工中，如果有两全其美的工艺就好了。