请教:关于飞秒激光处理

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发表于 2004-3-23 20:26:00|上海 | 查看全部 阅读模式
一个朋友的问题:fetosecond pulse Laser的大概聚焦最小可以达到多少,目前希望它能够达到10-30nm, 一般单模激光(single mode)激光的一个pulse的振幅随时间变化,理论上可以用阻尼型或高斯型来说明,想知道飞秒激光器的高斯型的半峰宽a大概是多少?exp(-t*t/(2*a*a))。还有这样的激光如果作用在半导体材料上100-1000个psec时间,会引起半导体发热而改变半导体材料的能级吗?如果发热大概温度会升高到多少?
谢谢!

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