求助：光电探测器暗电流远大于光电流1～2个量级的测试情况

InGaAs光电探测器
     若PIN型探测到光电流为10pA（变化的信号），APD型的一般光电流要大近一个量级，假设就为100pA.
      无论是PIN型还是APD型，暗电流一般都大于1nA.
     疑问：
      1.  同种材质，光敏面，APD光电探测器精度一般都低于PIN型光电探测器？
      2.  虽然APD型检测到的光电流大了一个量级，还不是比暗电流小？大这1个量级，有很大的必要吗？
      3. 100pA光电流信号相对于>1nA的暗电流，就相当于在>1nA的直流信号上叠加了一个100pA的交流信号？
      4. 看了下四十四所，sunboon，滨松电子，pacific-sensor的光电探测器资料，发现光电探测器资料给出的典型测试一般都是光电流一般都大于暗电流的情况。请问：这种暗电流大于光电流1～2个量级的情况在光电探测器应用环境中算是正常情况？
      


        还望诸位前辈 赐教  先谢谢诸位

好问题，但回答太复杂。建议找一本光电检测的书看一下。

对数放大器 能用在这里不？