用于MEMS非致冷红外传感器的氧化钒工艺

基于VOx的非致冷红外传感器是当前MEMS的研究热点。VOx的制作是关键工艺,而VOx多价态共存,优化工艺以提高VO2在VOx中的比例、制备高性能的VOx薄膜为核心技术。采用直流磁控溅射法,对量产型PVD机台进行了技术改造,在溅射过程中用电压同时控制靶材溅射速率和氧气流量,少量的氩气充当靶材的保护气体。溅射完成后在350℃下退火约3h以降低噪声和残余应力。经测试,得到的氧化钒薄膜电阻温度系数（TCR）的绝对值大于2.8%/K,EDX分析得V和O的原子数比约为1∶1.8,像元均匀性优于5%,封装后样品等效噪声温差小于100mK,并给出了384×288阵列样品的红外成像效果图。结果表明：采用的方法有助于实现相关成像阵列的量产化。

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2011-10-8 09:10 上传

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