用电子枪镀ITO 工艺参数要如何设置

 火...
8.3k 20
发表于 2009-1-20 23:12:14|福建 | 查看全部 阅读模式
ITO膜
电子枪的加离子源
蒸发速率要控制在多大
已经蒸镀的温度多少才最适合
希望有经验的兄弟多多指导
谢谢!!!

回复|共 20 个

jhxxmlhk Lv.10 发表于 2009-1-23 09:07:44|湖北 | 查看全部
速率0.1nm/s,O2 10sccm,Thickness=25nm。方阻大概700欧左右。
jhxxmlhk Lv.10 发表于 2009-1-23 09:09:15|湖北 | 查看全部
镀膜温度30度,速率0.1nm/s,IAD O2 10sccm,Thickness=25nm。方阻大概700欧左右。
jhxxmlhk Lv.10 发表于 2009-1-23 09:26:47|湖北 | 查看全部
透明导电氧化物薄膜主要包括In、Zn、Sb和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料,                                                               
具有禁带宽(红外反射大于80%、紫外吸收大于85%、微波衰减大于85%)、可见光透射率高                                                               
(大于85%)和电阻率低等特性。透明导电薄膜以掺锡氧化铟(Indium Tin Oxide,ITO)                                                               
为代表,广泛地应用于平板显示、太阳能电池、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域。                                                               
    影响ITO薄膜光电特性的工艺条件主要有掺锡浓度、热处理温度和热处理时间,在掺锡                                                               
浓度为20%(质量分数),热处理温度为450℃,热处理时间为15min条件下制备的ITO薄膜                                                               
的光电特性较好。采用上述工艺制备的ITO薄膜的方阻约为300Ω/sp,可见光平均透过率                                                               
为80%,膜厚约为25nm,电阻率约为4×10-3Ω*cm。                                                               
  广州半导体材料研究所的SDY-5四探针电阻测试仪测试方电阻.                                                               
    随着基片温度的升高 ,薄膜的方块电阻呈下降趋势 ,基片温度的高低对ITO薄膜方块电阻的                                                               
"大小影响很大。这是因为低温下沉积的 IT O薄膜中晶界附近堆积着大量的吸附氧 ,这些吸附氧
"                                                               
为电子陷阱捕获电子 ,而使载流子浓度降低 ,衬底温度的提高有利于薄膜吸附氧的脱附 ,从而使                                                               
"晶界缺陷数目减小 ,导致载流子浓度增大 ,使薄膜的导电性得到改善。
"                                                               
" 随着氧分压的升高 , ITO薄膜可见光透过率变化不大 ,而ITO薄膜紫外透射光谱的吸收截
"                                                               
止边带向短波长方向漂移。ITO薄膜的方阻随氧分压的升高而增大。这是由于在基片不加热的条                                                               
件下 ,在基片上吸附的氧很难脱离基片 ,使薄膜中掺有氧杂质 ,而氧分压越大 ,薄膜中氧浓度                                                               
越高。氧杂质中心对载流子的散射几率的增加导致薄膜方阻的增加。
lunik Lv.8 发表于 2009-1-31 09:15:03|江苏 | 查看全部
学习了,呵呵!好人呀,祝新年快乐!牛年大吉!!
中校 Lv.3 发表于 2009-2-2 11:44:35|浙江 | 查看全部
不愧是大师..........
baron 楼主Lv.6 发表于 2009-3-3 00:23:16|福建 | 查看全部
那我要镀制100欧姆左右的方块电阻  该怎么设计
宇宙深处 Lv.8 发表于 2009-4-4 22:31:03|福建 | 查看全部
用溅镀机镀!!!!!!!!!!!!!!!!
likesongs Lv.8 发表于 2009-8-23 12:04:12|湖南 | 查看全部
真好!我祝各位发大财!
sunyan Lv.8 发表于 2009-8-23 18:18:35|吉林 | 查看全部
说的很有道理!!!!!!!!!!!!!!
wazxq Lv.10 发表于 2009-8-24 10:58:12|广东 | 查看全部
做这个还是溅射有优势。。。。。
wazxq Lv.10 发表于 2009-8-24 11:00:30|广东 | 查看全部
本帖最后由 wazxq 于 2009-8-24 11:02 编辑

这里有没有溅射作ITO的,说说能做到的水平

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