硅基片表面氧含量太高，请问如何除去啊?

michaelzhj · *发表于* 2004-9-24 22:16:00

硅基片表面氧含量太高，请问如何除去啊?还望不吝赐教！

michaelzhj · *发表于* 2004-9-25 00:02:00

我用5％的HF酸浸泡10分钟，作出来的试样竟然含有4.3％的F

如果只用丙酮和酒精，里面含的氧将近50％（我不需要任何氧），大家说说，咋会事，又该咋办？

heyanch · *发表于* 2004-9-28 00:34:00

做什么?

heyanch · *发表于* 2004-9-28 00:34:00

镀膜?

wish · *发表于* 2004-9-28 18:01:00

Si易氧化，在大气中很难保证没有氧的。用HF清洗应该是一个比较好的方法。如果可以在真空室中，可以用离子轰击一下

gb936 · *发表于* 2004-9-28 20:48:00

考虑用等离子清洗

michaelzhj · *发表于* 2004-10-11 04:02:00

是镀膜，我是先把Si片清洗一下，然后放入真空室内，抽真空，开始镀膜。但，总是会有F元素，我用的是溅射镀膜，真空室内没有等离子体清洗（轰击）的功能，还有没有别的方法？

zz · *发表于* 2004-10-13 23:04:00

SI在空气中易氧化？谁可证明。

fulong927 · *发表于* 2004-10-14 00:56:00

请问 michaelzhj ，

4。3％的F是如何测出来的？

zz · *发表于* 2004-10-15 01:35:00

还用问，就用LAMBDA测的

michaelzhj · *发表于* 2004-10-15 04:53:00

用XPS测出来的

nanovac1 · *发表于* 2004-10-18 15:39:00

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