這種情況我遇見過,一般第一個腔沒問題,第二個腔後半腔就會出現差異(光信號偽拐點),以至到後面信號越來越亂,鍍出來之產品肯定Fail。鑒於技術原因,在這裡我只能給您一些提示,希望您能得到啟發。
1.控制方法上要靈活點,采取點小技巧。(如關鍵與敏感層要采取其它控制方法等)
2.晶振片使用與更換時要注意細節。(如鍍膜前和過程中更換要適宜等)
3.單色儀信號方面(如光強、狹縫大小等)
4.Substrate方面(基片之影響要比材料影響大)
我以前做100G最大面積做到Φ65mm,200G與CWDM每個Run做到Φ80mm以上,現在雖然不做了,靜心讀了一些資料後,收獲頗大,如果再做的話可以做得更好。希望現在仍然在做的可以做得更好。
另,以上為個人建議,僅供參考。 |