请您支招（控制方式的选择）

在电子枪蒸发镀膜的情况下，如果某些层的厚度偏薄（物理厚度在10nm以下），对于这些层的膜厚控制，您有什么高招吗？
水晶控制-因每罩电子枪的蒸发情况不同，再现性可能不好！
时间控制-因为电子枪开始阶段的稳定性不好，误差可能偏大！
光学控制-厚度薄，带来的误差可能偏大！！
上述三个方法，你认为哪个会更准确一点呢？（没有最好只有更好啊！）
除上述三方法外，您还有啥好的办法吗？

还是要看什么样的设备

想办法找到附近几层的晶振参考，或者移动单色仪走Peak（当然设备Peak能力差就免了）。

最重要的是设计时避免超薄层就行了，优化决不是交给计算机就OK了

谢谢wazxq老大的意见！

由于厚度偏薄，一般镀膜时间都只有在30秒前后，而这段时间蒸发的速率是渐变的，所以我认为参考其他较厚层的厚度是非常不准确的。

走Peak点本来是个很好的方法，但Peak点控制方法一般都是通过预判极值的方法，我估计在这么短时间内用这种方法，可能会经常的误判！（研究可用，但生产不可）

从设计上避免是根本，但鱼和熊掌不可兼得啊！

个人认为还是晶控相对好点。如果膜层很薄的话，一般的光控误差就比较大了

本人认为还是晶控好些

肯定用晶控了﹐最好手动控制﹐在做AR上经常会遇到某几层很薄的膜层﹐设计不能完全避免﹐我们3,4nm厚的都镀过﹐在镀膜过程中关键要抓好Tooling和蒸发速率等。

wazxq大哥:

"移动单色仪走Peak"是指用单色仪通过判断所镀膜层的极值点来得到膜层的光学厚度？

"移动单色仪走Peak"，，，，膜层太薄了，走Peak不合适！

Peak不一定刚好用Peak，可以过点点，

多层膜容易避开的，AR一般也可以，有时候会避不开，要我的话比较相信光控

7楼同行你的理解是对的，当然单色仪不能太差，至少是步进电机控制的那种吧

避开是关键，能够增加膜系容差

当然要看设备个人的工艺等等，楼上Hacker做4nm不是做的很好吗，所以找出自己适合的控制方式吧，还有什么好的方法没有，大家学习学习

[此贴子已经被作者于2005-10-24 12:24:15编辑过]

很佩服Hacker的技术啊，，向您学学，天天向上！

我镀制过7nm的。用我们的宽光谱光控，整体看400-1000nm的光谱曲线，实际镀制曲线与理论重合即可，还是比较容易判断的。