我国氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破

4月30日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功，这是该研究小组继2004年11月16日首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。