半极性氮化物扩展至绿色激光

UCSB的激光二极管开发人员正对既定目标形成合围之势，他们将生产全球第一只基于GaN的绿色激光二极管。这个团队由James Speck、Steven DenBaars和Shuji Nakamura领导，最近在（112￣2）GaN面上制备出半极性激光二极管结构，可自动发出514nm的光。

    这种多量子阱结构的光激励产生了与泵流量有关的阈值，以及一个13nm线宽的自发发射波峰。这种测量也反应出各向异性面内的光学特性，并指出条形激光二极管的[1￣123]方向更为可取。



UCSB团队在电泵浦的激光器（112￣2）上也取得了进展，当工作在脉冲模式下，它可以在427nm产生受激发射。该激光器的阈值电流密度是12.8kAcm–2。

    量子限制塔克效应导致了辐射效率的减低，这些半极性激光二极管轻微地受到影响。虽然如此，这比制备非极性的激光器更容易些。
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UCSB的Hirokuni Asamizu解释说：“在半极性（112￣2）面上生长高铟组分的InGaN量子阱要比在非极性m面上容易一些。在m面上，我们将需要技术上的突破，以获得发射绿光波长对应的InGaN量子阱”。