光电工程师社区

标题: RF MEMS开关工艺技术研究 [打印本页]

作者: update 时间: 2010-6-6 00:18
标题: RF MEMS开关工艺技术研究
汪继芳刘善喜
华东光电集成器件研究所

RFMEMS开关是用MEMS技术形成的新型电路元件，与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大等优点，将对现有雷达和通信中RF结构产生重大影响。文章介绍了RFMEMS开关的基本工艺流程设计，工艺制作技术的研究。实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题，制作出了RFMEMS开关样品，基本掌握了RFMEMS器件的制作工艺技术。RFMEMS开关样品测试的技术指标为：膜桥高度2um～3um、驱动电压〈30V、频率范围0～40GHz、插入损耗≤1dB、隔离度≥20dB，样品参数性能达到了设计要求。

RF_MEMS开关工艺技术研究.pdf (370.52 KB, 下载次数: 1)

欢迎光临光电工程师社区 (http://bbs.oecr.com/)