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标题: [转帖]高速半导体激光器的设计（３） [打印本页]

作者: v_2004 时间: 2004-5-19 02:10
标题: [转帖]高速半导体激光器的设计（３）
高速调制半导体激光器的制造

根据以上的分析和设计原理，已研制出了各种高速半导体激光器，而制作工艺仍是制作半导体激光器的基本工艺。

高速激光器的管芯结构设计需要从如何减小寄生电容、串联电阻以及如何对光进行限制，提高光子密度等方面进行考虑，而且还要考虑键合、引线及封装对调制特性带来的不利影响。高速激光器常用的结构主要有以下几种。

4.1 双沟道平面掩埋结构——先用湿法化学腐蚀在InP衬底上刻出周期为 200nm的光栅；再依次生长n-InGaAsP波导层（1.1μm）、无掺杂InGaAsP有源层（1.3μm）、 p-InP层和p-InGaAsP接触层，然后用光刻版SiO2 掩蔽和湿法腐蚀形成两个沟道，两沟道之间有源层的宽度为1.5μm, 厚度为0.2μm；最后用MOVPE技术在沟道内生长掺Fe半绝缘InP，腔长为250μm（图 1）。

作者: luotangjian 时间: 2004-8-23 06:08
有意思，哈哈。

作者: up2u 时间: 2004-8-25 00:27

芯片设计出来只能算迈出第一步~~~

后面工序也同样是非常重要的,才能使其性能发挥最佳

作者: legendall 时间: 2004-8-30 06:15
kuangding

作者: 神勇小白薯 时间: 2004-8-31 01:49
前面的1和2呢？谢谢！

作者: tree-sky 时间: 2004-8-31 20:37

我是新手，不顶帖不给看文章。

所以我来顶，希望大家别见怪

作者: hope2008 时间: 2011-4-15 22:56

作者: yongsina 时间: 2011-7-16 02:11
谢谢

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