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3楼
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发表于 2007-6-21 22:32:00
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定电流控制降低输出电流变化
一个较高效率且精确的解决方案是采用高电压直流转直流(DC/DC)降压型转换器,包含一个连接总线电源(Vbus)与高亮度LED的高电压端开关或金属氧化半导体场效晶体管及高亮度LED与接地间的感测电阻,这须在高电压端加入浮动开关的组态,以便直接持续监控负载电流并加以调整。
在正常运作情况下,输出电流透过IFB接脚上的回授电压来加以调整,通常为0.5伏特,当VIFB低于参考电压(VIFBTH)时,高电压端MOSFET导通,高亮度LED由直流总线供电,同时在IFB接脚电压上升过程将能量储存在LC谐振电路中,当IFB接脚上的电压达到临界值VIFBTH时,高电压端的MOSFET便会在内建电路的固定时间延迟后断开。
这时电路会开始释放出事先储存的能量来提供高亮度LED电源,而当IFB接脚上电压下滑到固定临界点时,MOSFET会再次导通,但内建的固定电路时间延迟会让VIFB在MOSFET实际导通并且让系统进行重复周期动作前低于临界值。
藉由此固定时间延迟的帮助,电路的持续切换动作可以让流经高亮度LED的电流维持在一个可以用VIFBTH(通常为0.5伏特)和RCS感测电阻间比率计算得出的IOUT(AVG)平均电流输出值,只要由LC所组成的输出谐振电路可以维持IFB接脚上的低涟波(通常低于0.1伏特)即可。图3a与图3b描述了使用固定时间延迟滞后式电流控制可以达到的超低输出电流变化,显示出在总线电压位于40~170伏特输入电压时,1,400毫安运作下变动在±0.3%以内,而在15~30伏特电压下,1,400毫安输出时的变动更小于±0.1%。
此电路同时也限制了尖峰电流,因此可以搭配使用小型MOSFET以及小型电感,提供精准且多样性的高效率控制解决方案,让设计工程师可利用新一代高亮度LED背光技术强化LCD显示质量。
值得注意的是,此方法同时也免除固定频率振荡器的需求,因为芯片会持续将负载电流与临界值比较,并依结果进行MOSFET的切换控制,频率可以自由选择并依LC以及输出入电压而定,因此此电路不仅能对生产时的差异与温度飘移进行补偿,同时还可应用在宽广的输出入电压范围,以及不同的高亮度LED串或数组组态上。 |
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