低温多晶硅TFT（low temperature poly-silicon TFT）

　利用在低温下多结晶化的硅形成的TFT就是低温多晶硅TFT。由于可提高载流子迁移率，电流驱动能力得到了提升，另外还可形成n通道TFT和p通道TFT，因此除了显示器功能之外，还可在玻璃基板上一体集成以CMOS电路为基础的周边驱动电路、SRAM电路以及D-A转换器等。配备音频处理电路和简单的微处理器的液晶面板也正在开发之中。

　　通过实现周边驱动电路的一体化，能够提高可靠性。这是因为可以大幅减少面板和驱动电路之间的电路连接数量的缘故。通过窄边框化、轻量化以及增强耐振性，低温多晶硅TFT有望用于便携式信息终端。另外,由于电流驱动能力较高，还有望实现更高清晰度以及开口率较高的像素。

　　低温多晶硅TFT的制造方法如下：首先在玻璃基板上利用等离子CVD形成非晶硅膜。然后，为提高TFT的性能（电压一电流特性），使非晶硅形成结晶。一般情况下，通过在450℃以下的基板温度下照射准分子激光来形成结晶。非晶硅膜因激光的能量瞬间融化凝固，因此会形成平均结晶粒径为0.3μm左右的多晶硅。

　　由于可在低温下形成多晶硅膜，因此能够利用非晶硅TFT量产线上的多种设备。载流子迁移率达到200cm2/Vs的低温多晶硅TFT已经应用于产品。作为研究结果，通过改进激光照射技术，载流子迁移率实现了超过500cm2/Vs的数值。

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