开发纳米压印光刻技术主要厂商Molecular Imprints开始裁员

开发纳米压印光刻技术的主要厂商之一Molecular Imprints已经开始裁员，受到此次裁员影响的人数约在20人左右。而导致该公司裁员的原因则是未能按时开发出可供下一代硬盘存储技术位元图案介质 (bit patterned media BPM)使用的纳米压印光刻技术。尽管最近业内对纳米压印光刻技术的乐观情绪刚刚有所抬头，许多人都认为纳米压印技术有机会在CMOS芯片制造领域，特别是NAND闪存芯片制造领域站稳脚跟，但这次裁员事件无疑给这种乐观心态泼上了一盆冷水。



纳米压印技术原理图

除了芯片制作领域之外，纳米压印技术的另一个潜在市场是硬盘盘片制作。目前硬盘盘片主要采用垂直记录技术来存储数据，这种硬盘的盘片仍采用溅射工艺制作，不过硬盘单碟容量很快会达到1TB的壁垒。为此以日立全球存储公司和东芝公司为首的几家公司提出了位元图案介质技术(BPM:bit-patterned media)来取代现有的垂直记录技术，据称这种技术的单碟容量可达10TB水平。理论上说，纳米压印技术应该是制作BPM盘片的最佳选择。不过实际情况是BPM技术似乎并没有获得大多数硬盘厂商的首肯，比如西数公司便曾公开表示这种技术不会实现批量生产，而且目前许多硬盘厂商也在努力延长垂直记录技术的寿命（比如目前较为热门的垂直记录增强技术热辅助磁记录技术HAMR），如果他们在这方面的努力取得成功，那么BPM及纳米压印技术自然会成为回忆。

垂直记录增强技术：HAMR简介：



垂直记录+HAMR盘片读写原理图



随着硬盘盘片存储密度的增加，存储信息用的磁颗粒尺寸也在不断减小，而普通的小尺寸磁颗粒很容易在冷热交变的工作环境下出现数据丢失的问题，为此需要提高磁颗粒的矫顽磁性（coercivity），但是矫顽磁性提升后普通的写磁头将无法完成数据写入工作，因此需要利用磁颗粒的矫顽磁性可随温度上升而降低的特点，使用激光照射磁颗粒进行加热，降低其矫顽磁性，然后再使用写磁头进行写入。这就是HAMR技术得名的由来。

回到正题，Molecular Imprints公司的CEO Mark Melliar-Smith表示，他不愿意透露将被辞退的具体员工人数，不过他也没有对外界盛传的20位员工将被辞退的说法表示异议。“我们正在进行一次小裁员行动，而我们在CMOS芯片制造领域的成就其实仍在继续进展。在磁盘盘片制造领域，有关技术正式推出的日期可能会比我们原先预计的要迟2-3年。不过对硬盘盘片制作领域而言，纳米压印光刻技术一定会被采用，这只是个时间上的问题。”

Molecular Imprints公司(以下简称MII公司)在此次裁员之前，全公司的员工总数在120名左右。而过去几年里，包括在最近一段时间的经济危机大背景下，这家公司一直在扩充人马，他们招聘了一批光刻研发专家，设备制造技术专家以及销售人员等。这些情况与最近公司的裁员行动形成了惊人的反差。有消息来源称，公司的战略是准备开始在硬盘盘片制造领域取得显著赢利，并计划发行股票上市，然后再进入亚20nm CMOS光刻市场。

Melliar-Smith表示此次裁员涉及的人员多数并非工程类职员，而主要涉及因硬盘盘片制造用纳米压印技术无法及时推出而受到影响的业务人员。

MII公司将希望寄托在硬盘厂商对纳米压印光刻设备的兴趣上，理论上讲，位元图像介质技术需要使用纳米压印光刻技术来制造盘片，这种技术不仅能满足盘片性能方面的要求，而且还具备较高的产出量。目前以东芝为代表人物的一众厂商仍在继续开发BPM技术，不过实现BPM需要使用纳米压印光刻设备，而这类设备的成本则相比HAMR方案更贵,虽然HAMR技术的实现需要往硬盘中增加激光二极管写入装置，但这种装置的成本仅数十美分左右。

日立全球存储技术公司的BPM研发技术主要应用了两种技术：纳米压印光刻和定向自组装技术(DSA)，这两种技术的组合可以在保证盘片存储密度的前提下降低制造设备的成本。



MII公司为其BPM客户开发的NuTera 7000型纳米压印设备


MII公司目前为止开发出的硬盘盘片制造用纳米压印光刻设备已经进化到了第三代产品，他们目前为止共售出了13台这样的设备。去年，他们向一家硬盘厂商售出了一台NuTera HD7000型设备，预计今明两年MII有望取得有数十部这套设备的订单。

然而，数周前，由几家硬盘厂商组成的联盟组织公开宣布他们现在不打算在商用化市场使用BPM技术盘片。据某消息来源称，当MII公司的投资者们听说这个消息之后，便强烈要求MII公司进行裁员。

Melliar-Smith称：”我们认为BPM是一项很有希望的技术。相信BPM和HAMR最终将并存，并将硬盘盘片的存储密度提升到1-2TB/平方英寸的水平。“

Melliar-Smith曾在贝尔实验室任技术经理，另外1990年代末他还曾为Sematech公司工作过数年，在今年的SPIE2011高级光刻技术会议上，他曾宣称称纳米压印技术在CMOS芯片制造方面取得了许多显著进展。而东芝公司的研究人员也宣称应用纳米压印技术制作的BPM盘片瑕疵密度已可达到每平方厘米0.1个的较低水平。而Sematech公司则在会上宣称他们的纳米压印技术瑕疵率更低。

据消息来源透露，东芝的盘片制造技术采用的是MII的纳米压印机+佳能步进光刻机的组合。当被问及MII与佳能光刻部门的合作状况时，Melliar-Smith承认MII正在与一家光刻设备厂商合作，不过他称无法透露这家设备厂商的名字。另外他还狡猾地表示：”如果某家大型半导体芯片厂商希望在其高端CMOS芯片制造过程中使用纳米压印技术，他们当然不会孤注一掷，仅仅依靠我们这家在德州的小公司来达成目标。“

另：纳米压印技术与极紫外光刻(EUV),电子束直写(EBDW)和定向自组装(DSA)并称为下一代芯片光刻技术(NGL)的四大候选人，不过目前仅EUV显出王者之像，除了芯片制造之外，纳米压印的另一项重要应用是用于制造BPM技术的硬盘盘片，目前制造纳米压印光刻设备的厂商主要有EV Group, Nanonex, Nanolithosolution, MII, Obducat以及Suss等几家。

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