国内硅衬底LED全球领先：市场空间巨大！

根据2015年6月科技部网站公布的“国家科学技术奖励初评结果”,“硅衬底高光效GaN 基蓝色发光二极管”被初评为技术发明奖一等奖。项目主要完成人之一孙钱博士为晶能光电副总裁和常州公司总经理,项目主要完成人之一王敏博士为晶和照明董事长。实现了LED 关键技术的多项重大突破,在硅衬底LED 领域全球领先。



硅衬底GaN 是实现高效蓝光发光二极管最佳选择。


目前能用于产业化生产蓝绿光LED 材料的衬底有:蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)和硅(Si)衬底;正在迅速进步且具有潜在产业化生产的衬底有:氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)。其中,SiC 衬底及LED 制备技术被美国公司垄断,蓝宝石衬底技术则主要掌握在日本公司手中,Si 衬底技术已由南昌大学突破。硅衬底是目前外延生长GaN薄膜的最佳选择,目前南昌大学也已在S(i 111)衬底上生长出发光特性能与蓝宝石或SiC 衬底上媲美的GaN 蓝光LED。