氮化镓基紫外探测器

Inter-Diff可提供氮化镓基单元探测器和线列探测器，器件结构采用PIN光伏型探测器，波段有可见盲和日盲两种，封装一般采用金属管壳，也可以根据客户要求订制。线列器件可以包含读出电路，光敏面积可以根据客户要求改变。通用焦平面组件型号和性能见表1。
GaN紫外光探测器可广泛用于科研、军事、太空、环保，不仅很容易探测到地球或地球低处的紫外辐射，而且还可用于15～20Km高空的臭氧层太阳光紫外线监测。多种直接以GaN基紫外光多元或面阵器件为核心探测器的导弹紫外光告警系统装备飞行器、坦克、战车，探测导弹发射的角分辨率高，探测能力强，虚警率极低，研发红外/紫外复合的导弹逼近告警系统，提高实战能力。应用GaN基紫外光探测器的红外/紫外双模复合导引头，可增强导弹的抗干扰与白天全向攻击实战性能；采用多元紫外/红外复合寻的制导方式，可探测、捕获与跟踪处在助推段、中段弹道飞行的弹道导弹，灵敏度相当高。GaN基光探测器在紫外光电对抗与反对抗、紫外光保密通信、生化武器探测方面的应用也引起军界高度关注。在工业上像航空、汽车、石油化工等，都要求有耐受高温和恶劣环境的探测器，可用于太空飞船中的紫外光监测器，火箭羽烟探测器，汽车和石化工业的废气监视，热背景火焰燃烧探测，尤其是白天更加需要只对紫外光敏感的GaN探测器，而且单个探测器即可满足要求，价格也适当。紫外光波长远小于雨或雾离子波长，在雨雾气候中可远距离传播，GaN紫外探测器还可用于空间通信、飞机导航或海滩、高山等富紫外环境的个人用紫外计量仪。
           表1 氮化镓焦平面组件典型型号和性能
                 GaNSV        GaNSB        GaN128V        GaN128V
封装                 金属        金属        金属        金属
光敏元(um2)        300×300        300×300        85×200        85×200
列阵数                 单元        单元        128        128
光谱范围(nm)        300—365        240—280        300—365        240—280
响应率（A/W）        ≥0.10        ≥0.02        ≥0.10        ≥0.02
响应非均匀性                        <8％        <10％
盲元率                        &#61603;            <2％        <2％
工作温度(℃)        -20～60        -20～60        -20～60        -20～60
贮存温度(℃)        -20～60        -20～60        -20～60        -20～60


欢迎联系Inter-Diff获得更多详细相关资料。