波片加工检验

第二面抛光是加工1/4波长片加工的关键，具体操作与第一面相同，并用平面干涉仪检测平面度、平行度，用偏心砝码修正平行度。
由θ=mλ206265″/2nb         （6）
n=1.5442为石英的折射率，m为b(120mm)长度范围内的干涉条纹，λ=632.8nm为单色光波长。


表2：干涉条纹数与平行度θ对照表：

干涉条纹数m平行度θ(″)干涉条纹数m平行度θ(″)
m=0.50.176m=31.057
m=10.352m=3.51.233
m=1.50.528m=41.409
m=20.704m=4.51.585
m=2.50.880m=51.761

当厚度到大于理论值2-3μm时应进行实际测量。测量的波长应是波长片的工作波长。采用消光法测量厚度，以Ar+ 激光进行测量。






   图4：消光法测量厚度的原理图
当Ar+ 激光经过半透镜S 和起偏器P后变成一平面偏振光，仔细调整所加工的1/4波长片的偏振轴使与入射偏振光成45°。如果 1/4波长片的厚度准确，则此平面偏振光通过1/4波长片后又重新变成平面偏振光，但偏振方向旋转90°，与起偏器P的偏振轴正交，因而返回的光被起偏器P截住而无法通过，即反射光斑在屏上是一消光点，并且消光点的出现具有周期性，每旋转±22.5°为一周期。如果1/4波长片厚度不准确，在屏上就找不到消光点，而出现亮点。第一种情况就是抛光“过头”，即波长片的加工厚度已稍薄于应用厚度，但与下一厚度周期又相差太大，这时从0-22.5°之间任意转动1/4波长片在屏上均找不到消光点。不能光靠抛光修正厚度，而应重新研磨、抛光到下一厚度周期。第二种情况就是抛光“不足”，即波长片的加工厚度稍大于应用厚度，这时从0-22.5°之间任意转动1/4波长片在屏上均找到一个消光点，消光点越是接近0°表明越是接近应用厚度，越是接近实际值，越要勤测量。并选用化学抛光液在分离器上抛光,严防抛光“过头”和“不足”。抛光达到光学要求后即可拆胶下盘。
2、8、检测：
为证实加工损伤加工损伤层是否存在，将加工好的波长片用NH4F 饱和溶液进行腐蚀腐蚀，10 min后检测，表面无划痕和缺陷，为完全镜面。用TENCOR P—1台阶仪进行检测，所加工出的波长片表面最大粗糙度为0.1~0.5nm Ra，获得了超平滑表面。如果在最后精抛中用去离子水抛光清洗10 min，可获得0.1nm Ra以下的超平滑表面。
   







         图5：TENCOR—1检测粗糙度图
3、结论：

本人经验，同大家共同学习

计算抛光去除量的公式方程为式（5）：
H=CPVT                       （5）
H：抛光表面去除量
C：常数，不同材料其数值不同
V：速率
P：单位面积上的压力
T：时间
影响抛光的因素还有抛光液种类、浓度、温度、PH值等。抛光液温度影响抛光工件的平面度；抛光液种类、浓度、PH值影响抛光速度。
表1：抛光液种类、浓度与抛光去除速率的关系
抛光液（体积比为10%的溶液）时间（min）去除量（μm）
300目CeO2 6028
500目CeO26020
40~50nm的SiO2601
PH值与抛光速率的关系如下：
PH值                 去除速率nm/min
0      18
7                  24
14     48
坐标关系为：





     图 3： PH 值与抛光去除速率的关系               
以300目CeO2去除研磨加工损伤层， 500目CeO2去除残留的损伤层，3550化学抛光液PH值=11添加NaClO使PH值=14代替SiO2进行抛光可达到较好的效果。并在平面干涉仪上检测光圈，使之达到低光圈N=λ/6-λ/4的要求。合格即可下盘，清洗干净。

有加工波片的同仁吗？

听说苏州二六的波片加工很不错！可惜我没机会做！：）

加工波片的公司很多

光学低通滤波片？

好象没有你说的那么复杂！我们在厚度控制仅使用0.1μ精度测量工具，就能解决问题了！

我想请教一个难题：17*17*2.0 两个面的光圈加工要求是 λ/10， 平行度≤5" 加工方法

好象没有你说的那么复杂！我们在厚度控制仅使用0.1μ精度测量工具，就能解决问题了！

我想请教一个难题：17*17*2.0 两个面的光圈加工要求是 λ/8， 平行度≤1" 加工方法

按楼主的说法：线偏光（P）经过光轴与其成45度的1/4波片后，成了S偏光？上述的加工方法应该是做的1/2波片吧？