西安光机所“半导体激光器功率扩展面阵技术”通过鉴定

西安光机所“半导体激光器功率扩展面阵技术”通过鉴定
http://www.cas.ac.cn/ky/kyjz/201105/t20110513_3132620.shtml
        文章来源：西安光学精密机械研究所        发布时间：2011-05-12        【字号： 小  中  大 】         
5月9日，由中科院西安光学精密机械研究所和西安炬光科技有限公司合作研发的“半导体激光器功率扩展面阵技术”项目，通过了技术成果鉴定。
鉴定会由中科院上海光机所范滇元院士主持，鉴定委员会听取了项目工作组所作的工作报告、技术报告、查新报告以及鉴定测试报告和资料审查报告。鉴定委员会经质询和讨论，形成如下意见：
该项目成功设计和研发了一种半导体激光器功率扩展面阵技术，基于多叠阵光束非成像叠加、光斑控制、近场非线性控制、热管理、光谱控制等技术，实现了24单元叠阵的组合面阵，连续输出功率达27kW，功率密度大于668W/cm2，光谱宽度小于3.36nm。该技术适用于连续和准连续工作模式及不同中心波长，可扩展叠阵数，对开发大功率半导体激光器面阵新产品有重要意义。
该成果主要技术进步点如下：1.采用机械或光学或者机械与光学相结合的方法有效地控制了输出光斑尺寸，提高了光斑均匀性；2.开发了大功率半导体激光器面阵的热管理技术，采用独特的热管理结构设计，保证了面阵系统的温度均匀性和稳定性；3.研究了大功率半导体激光器面阵的光谱展宽机制，提出并开发了一种有效的面阵系统光谱控制工艺技术，实现了国际领先的高功率窄线宽激光输出；4.进一步发展了提高半导体激光器阵列近场线性的工艺技术，实现了99%的产品的近场非线性低于1微米。
该成果技术复杂，难度高，设计先进，所研发的面阵在输出功率、功率密度、光谱宽度等方面达到了国际先进水平。该成果已经形成批量生产能力，在国内多家单位得到应用。鉴定委员会一致同意该成果通过鉴定，同时建议进一步加强该成果的推广应用。

“光谱宽度小于3.36nm”还是窄线宽，国际先进水平？

西安晶电半导体科技有限公司 代理 日本DENKA球形氧化铝(高导热）TOK拥有一系列的光刻胶（PHOTO RESIST）适用不管是先进的CSP，BUMPING技术，或TAB，COF，FP等工艺上高性能散热材料
进口电镜显微镜 DENKA TFE、LaB6 Cathode是纳米技术 导热用球形氧化铝粉 加工 销售氟化物纳米级光控片 进口 0.01um 0.005um 进口最细多晶钻石粉 氧化铝粉 进口导电金胶 导电银胶 进口光刻胶 进口实验室尘粉 罗门哈斯抛光垫 阻尼布 进口高抛绒布 进口悬浮液 金相实验高端产品 半导体 光电高端材料试剂 西安晶电半导体科技有限公司 QQ 990495710