求教：半导体激光器的发光机理

我们知道，半导体激光器发射的光束是非回转对称的椭圆型高斯光束，它在垂直于P-N结平面方向（称为快轴）和平行于P-N结平面方向（称为慢轴）上的发散角差异很大，一般快轴发散角为３０度（ＦＷＨＭ），慢轴为１０度。且其发光区一般为矩形，尺寸一般为快轴（１微米），慢轴（几百微米）。
我想问的问题是半导体激光器的发光机理是哪一种：
（１）发光区内任意一点处发出的光束都是３０度和１０度这样的椭圆型光束；还是
（２）发光区全部各点发出光束的包络是３０度和１０度这样的椭圆型光束．
谢谢各位！