ASE激光器与LED有何区别？

放大的自发辐射（ASE）激光器在原理上好像和LED没有什么区别啊？感觉好像是结构上有区别？？哪位高人来指点一下？

郁闷。没人回答。

自己顶一下。期待高人出现。

难怪,你会有那样的感叹!呵呵.

两者原理上应该还是不一样的吧.可以确定的是,LED的光谱频带远宽于激光二极光,也就是说LED不是依靠电子能级跃迁发光的.这么说的话,他们的发光原理是完全不同的.

我只知道这个,和你一样,期待高手出现.

ASE是同时存在于掺杂光纤和半导体有源材料中，需要电或光激发，没有“ASE激光器”一说。LED只对半导体而言。ASE的光在腔内会受到放大，LED是完全的自发辐射。

看了大家的讨论，又看了一会书，好像明白了一些。

ASE光源所发的光介于激光与荧光之间。荧光是完全的自发辐射光，光波平均分布在各种模式上；而激光由于谐振腔的选模作用，光波只能分布在少数几个模式上。ASE的有源介质较长，能够对自发辐射光实现放大，采用细长的激光介质可以使自发辐射不断得到放大，同时激光介质的边界又能抑制部分模式，所以能获得较好的空间相干性；但因为没有谐振腔，纵模特性差，时间相干性不好，所以谱线很宽。

LED因为有源层非常薄，没有足够的增益长度来实现自发辐射的光放大，所以不同于ASE光源。

呵呵，知道的就这些，不知道理解的对不对。

另外，激光原理书上说，氮分子激光器和氢分子激光器属于无谐振腔激光器，原理就是自发辐射的光放大，所以我写作ASE激光器。

对呀,请高手来讲解讲解啊!!!