Nd:Gdvo4晶体采用870NM的LED进行泵蒲是否可以出1064的LASER？？

Nd:Gdvo4晶体采用870NM的LED进行泵蒲是否可以出1064的LASER？？

我准备采用LED870-66-60的管子进行泵蒲这种管子的功率是1600MW的红外线输出。直接照射Nd:Gdvo4晶体。它的带宽是40NM。封装形式：TO-66

As long as the crystal has good absorption at 870 and the laser emission line is at 1064nm, you can get lasing.

Check the spectrum curve of the crystal.

好的。我看一看这块晶体的吸收谱线！！谢谢！！！！

我没查到相关资料呀！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

Nd :GdVO4 晶体的吸收谱和荧光谱表明,晶体在808. 5 nm 有吸收峰,其发射波长912. 6nm ,1 063. 1 nm和1 341. 3 nm. 晶体中掺Nd 浓度为1. 56 at %Nd :GdVO4 的4F3/ 2荧光寿命为100μs. 用3 W激光二极管(LD) 泵浦1 mm 厚的Nd : GdVO4 晶体,得到了1. 72 W、1 063 nm 和800mW、1 341 nm的输出光.

电阻，详细资料有篇论文已经发你邮箱，请查收：）刚看到可以上传，已经传了：）

没听说Nd的吸收峰在870nm

其中：LED810-66-60的参数：Electro-Optical Characteristics Item Symbol Condition Minimum Typical Maximum Unit Total Radiated Power PO IF=600mA 1000 mW Total Radiated Power PO IF=3A 4000 mW Radiant Intensity IE IF=600mA 450 mW/sr Forward Voltage VF IF=600mA 9.0 V Reverse Current VR IR=10uA 50 V Peak Wavelength lP IF=600mA 810 nm Half Width Dl IF=600mA 30 nm Viewing Half Angle Q1/2 IF=600mA ±60 deg. Rise Time tr IF=600mA 100 ns Fall Time tf IF=600mA 100 ns ‡ Heat sink is required thermal resistance 8K/W 1) High reliability 2) Compact (TO-66) package 3) High output power at 810nm

这种管子也许可以吧，但是这种东东在澳大利亚呀！太遥远啦！！！！！！！！

电阻兄说的“870nm的LED进行泵蒲”是不是应该是“870nm的LD”阿？我好像没有听说过LED能做激光晶体的泵浦源的。

说得对。 LED 是不能作甭浦的， 因为它的发散角太大， 就象

灯泡一样。 另外即使是LD也要确认有吸收才行

电阻兄,看资料这种LED是列阵封装,同时半宽30nm,用它来当泵源不合适.

一般来说这种晶体的发射谱线在1062nm左右,呵呵

不知道楼主是不是哈工大的同行,呵呵

Nd的吸收峰值在808.9~809nm之间