双层多晶硅(单层机械结构)表面牺牲层工艺流程图

双层多晶硅(单层机械结构)表面牺牲层工艺流程图及版图与剖面图的对应关系(草案)

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1、阴版代表版图中图形部分被保留，即实际结构与版图一致；阳版代表版图中图形部分被刻掉，即实际结构与版图相反；
2、淀积过程目前先实现完全保形覆盖，即淀积膜的形状与衬底表面形帽完全一致。但当衬底上沟槽宽度小于淀积膜厚度时，该沟槽被填充，此时表面是平的（如图一所示）。但保留增加非保形覆盖功能的余地；
3、刻蚀过程目前先完成完全各向异性刻蚀，即在垂直表面方向发生刻蚀，而横向尺寸保持不变。但保留增加各向同性腐蚀和更复杂腐蚀方法功能的余地；
4、*项工艺为任选项，若不选，以下工艺中与该层Si3N4相关的图形均不出现；**也为任选项，如不选，以下工艺中与该层Al相关的图形均不出现。选择与否，根据工艺文件和版图而定。

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2010-10-19 09:36 上传

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