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近日举行的Common Platform 2011技术大会上，IBM领衔的通用技术联盟各自介绍了其半导体制造工艺的最新进展，蓝色巨人自己更是拿出了全世界第一块采用20nm工艺的晶圆。据介绍，这块晶圆不但使用了业界领先的20nm LP HKMG(低功耗高K金属栅极)制造工艺，还引入了Gate-Last技术，简单地说就是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极。
Gate-Last(后栅极)、Gate-First(前栅极)是实现HKMG结构晶体管的两大技术流派，区别主要在于硅片漏/源区离子注入操作、 高温退火和形成金属栅极的先后。Intel从45nm工艺开始就坚持使用Gate-Last，台积电也决定从28nm开始引入。IBM联盟方面之前一直支 持Gate-First，包括32/28nm工艺，现在看来20nm将成为其第一个拐点。
IBM没有透露这种晶圆会用于制造何种产品，但既然是低功耗版本，应该不会用在CPU、GPU等高性能芯片上。
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