欧盟委员会将向挑战CMOS技术极限的欧洲共同项目“NANOCMOS”提供资金扶持。为了突破半导体性能与集成度的极限,该项目将在材料、工艺、元件及布线等领域掀起技术革命。
NANOCMOS项目将在2005年对在逻辑LSI技术节点上采用45nm(相当于hp65)工艺的可行性进行论证。同时还将开展32nm(hp45)及22nm(hp32)的研究活动。
参加该项目的企业除德国英飞凌科技(Infineon Technologies)、荷兰飞利浦电子、意法半导体之外,还有法国原子能部电子技术信息研究所(CEA Leti)、比利时IMEC、德国弗劳恩霍夫协会(FhG)旗下的三个研究所、法国国立科学研究中心(CNRS)旗下的八个研究所、德国独开姆尼斯工科大学的研究所。此外,法国Ion Beam Services、德国ISILTEC、比利时Magwel公司也分别参加了这一项目。负责项目管理业务的是法国ACIES Europe。
NANOCMOS项目的第一阶段将耗时27个月。除欧盟委员会赞助2400万欧元(约合人民币2.45亿元)之外,各项目成员也将进行研究投资以实现项目目标。项目成员计划就2006年开始的NANOCMOS项目第二阶段向欧盟委员会提出议案。
第二阶段将对实现32nm及22nm节点的可行性进行验证。将向欧洲的研究组织--MEDEA+提议从2006年开始在企业300mm晶圆生产设备中采用45nm技术节点并进行评估。从目前来看,可能会选择摩托罗拉、飞利浦、意法半导体三公司共同投资的法国Crolles第二工厂 |