请教关于膜料H4的问题

jionboy · 发表于 2011-4-21 19:53:15

如题，小弟想了解下关于膜料H4的一些相关参数，如折射率，蒸发特性，应用范围等等。

xiao2011 · 发表于 2011-6-3 18:40:04

  H4膜料的特性
　　

一、H4膜料的特性

成分钛镧混合物
外观 1-4mm的黑色颗粒
密度 5.9g/cm3
熔化温度 1800℃
沉积温度 2200-2300℃
沉积源电子束
坩埚铜或钼
氧气压力 0.8-2×10-4
沉积速率 0.2-0.8 nm/秒
基片温度大约30-300 ℃

二、H4膜层的特性

基片温度大约30℃ 300℃
500nm时的折射率 1.99 2.12
400 nm时的吸收 <2×10-4
吸收边缘 300nm
*吸收边缘是指在膜厚为270nm的膜层上,透光率为80%的波长。

三、折射率的散布

基片温度散布公式
大约30 ℃ n=1.887+25410/波长2
100 ℃ n=1.982+29820/波长2
300 ℃ n=2.009+28880/波长2

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liguang · 发表于 2011-4-21 20:59:48

mxbplayboy · 发表于 2011-4-21 21:35:01

学习中

yong0009 · 发表于 2011-4-22 10:04:03

jionboy · 发表于 2011-4-22 17:53:36

大侠们，有知道是说说，别太吝啬啦

xiao2011 · 发表于 2011-6-3 18:41:09

够详细没有

a99533126 · 发表于 2011-6-23 11:32:30

学习中

jionboy · 发表于 2011-7-16 17:39:50

非常感谢

xiao2011 · 发表于 2011-7-19 21:20:43

H4膜料的特性
　　

一、H4膜料的特性

成分钛镧混合物
外观 1-4mm的黑色颗粒
密度 5.9g/cm3
熔化温度 1800℃
沉积温度 2200-2300℃
沉积源电子束
坩埚铜或钼
氧气压力 0.8-2×10-4
沉积速率 0.2-0.8 nm/秒
基片温度大约30-300 ℃

二、H4膜层的特性

基片温度大约30℃ 300℃
500nm时的折射率 1.99 2.12
400 nm时的吸收 <2×10-4
吸收边缘 300nm
*吸收边缘是指在膜厚为270nm的膜层上,透光率为80%的波长。

三、折射率的散布

基片温度散布公式
大约30 ℃ n=1.887+25410/波长2
100 ℃ n=1.982+29820/波长2
300 ℃ n=2.009+28880/波长2

meilirensheng · 发表于 2011-7-19 22:29:35

吥哙放弃、、 · 发表于 2011-8-2 18:49:15

[技术] 请教关于膜料H4的问题

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