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808nm高功率连续列阵半导体激光器
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808nm高功率连续列阵半导体激光器
2003-7-18 23:19:00
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张兴德教授等研制,2000年验收。利用MBE外延技术生长
半导体
激光
器
材料
,具有较好的发射波长均匀性、一致性。CM条列阵半导体激光器的腔面
镀膜
选择具有较高折射率的
膜系
材料,最大输出功率20W,寿命≥3000小时。主要用于固体激光泵浦、制导、红外
照明
和引信等航空和民用领域。
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2003-7-21 16:24:00
808nm高功率连续列阵半导体激光器
应用很广
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