那位仁兄有晶控设备调试工具因子的资料，学习一下。谢谢。

那位仁兄有晶控设备调试工具因子的资料，学习一下。谢谢。

由于基片和探头不可能放在一起，因此晶片上接受到的膜厚与基片上沉积的膜厚存在一个由于几何位置不一致而引起的误差，因此需要通过修正系数进行校正。在真空室放几片基片，把密度值和声阻抗输入仪器，修正系数为1，做一次沉积试练。实际膜厚为800A，记下厚度值，然后用仪器测出它们的实际厚度。然后工具因子=实际测量的平均厚度/仪器显示的厚度。一但系数确定，晶片位置就不能移动，否则要重新计算。

楼上说的话很多，有用的话没多少。

各抒己见吗。欢迎继续讨论

二楼说的非常有用.
只不过他说的数据有点死板, 至于测厚度不一定非得用膜厚测试仪,可以用分光计测光学曲线得出相应的厚度,从而根据厚度来调整相应的工具因数

原帖由 huang12949 于 2008-12-1 22:36 发表
二楼说的非常有用.
只不过他说的数据有点死板, 至于测厚度不一定非得用膜厚测试仪,可以用分光计测光学曲线得出相应的厚度,从而根据厚度来调整相应的工具因数

谢谢各位大哥们。 如果有文字资料那是更好啊。如果那位有的话烦请发到我的邮箱吧，我可以用其他资料交换。谢谢！！！！！

谢谢了！！！！！！！！！

这么简单的问题都要问？？？

如果用晶控,其说明书上有关此方面的说明啊.

IC5 说明书上是有。

其实工具因子不必经常调，多写几个膜系（改参考波长）这样蒸发速率不变，时间长短一点。